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松岡耕平， 沖村邦雄

2017/8/25

応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会

1488-1488

公益社団法人 応用物理学会

8a-PA2-3 Page 1 基板バイアス印加スパッタ法を用いた VO2 薄膜の再結晶化に関する研究 On recrystallization phenomenon of VO2 films on Al2O3 (001) with rf substrate biasing in reactive sputtering 1 東海大院工, 2 クアラルンプール大工 ○松岡 耕平 1, ヌルー ハニス アズハン 2, 沖村 邦雄 1 1Graduate School of Engineering, Tokai University, 2Electrical Engineering Section, Universiti Kuala Lumpur International College, ○Kohei Matsuoka1, Nurul Hanis Azhan2 and Kunio Okimura1 Email: [email protected] 二酸化バナジウム(VO2)は 68℃付近で絶縁体-金属相転移(Insulator-Metal Transition: IMT)を生じ, それに伴って抵抗 値が 4~5 桁にわたって変化し, 且つ赤外光の透過率が大きく低下する. 電圧印加によっても IMT が引き起こされる ため, 光学スイッチング素子への応用が期待されている. 結晶性の良い VO2 薄膜では急峻な IMT 特性が得られるた め, VO2 薄膜の結晶性制御が重要である. 我々は金属バナジウム(99.9%)を…