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La croissance épitaxiale sur substrat GaAs (111) ainsi que les propriétés optiques spécifiques à cette orientation cristallographique sont étudiées dans le cas de puits quantiques InGaAs et de générateurs de seconde harrmonique à émission par la surface AlGaAs. Les échantillons ont été fabriqués par épitaxie par jets moléculaires sur substrats (111)B. Dans les conditions trouvées optimales, à haute température de substrat et sous faible pression d'As₄, nous obtenons d'excellentes morphologies pour les deux types de structure considérés, qui sont donc compatibles pour l'intégration monolithique. Il est montré que les puits quantiques InGaAs sont fortement affectés par le champ électrique induit par la contrainte. De fait nous observons une augmentation importante du décalage vers le rouge entre couches sur (111) et sur (100) avec la concentration d'In; ce décalage atteint 55 meV pour un puits de 18% d'In …