James W Pomeroy

James W Pomeroy

University of Bristol
在 bristol.ac.uk 的电子邮件经过验证
被引用次数：4501
Thermography Raman GaN HEMT Reliability Diamond
Meng Zhang

Meng Zhang

Xidian University
在 xidian.edu.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：1435
Gallium Nitride RF device power electronics GaN HEMT
Indranil Chatterjee

Indranil Chatterjee

Airbus eXpert - Discrete and Integrated Semiconductor Devices, Airbus
在 airbus.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：1071
Semiconductor Devices Radiation Effects in Electronics Reliability Physics GaN HEMT
Nethaji Dharmarasu

Nethaji Dharmarasu

Principal Research Scientist, Temasek Laboratories@NTU, Singapore
在 ntu.edu.sg 的电子邮件经过验证
被引用次数：930
GaN HEMT MOCVD MBE
Dr. Deepak Kumar Panda

Dr. Deepak Kumar Panda

Associate Professor in ECE, Amrita Vishwa Vidyapeetham, Amaravati Campus
在 av.amrita.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：929
Biosensor TFET GaN HEMT Compact device model development Solar Cell Design
Arivazhagan L

Arivazhagan L

RA @ University of Sharjah, UAE
在 srec.ac.in 的电子邮件经过验证
被引用次数：907
Device Modeling Trap Analysis Small Signal Modeling GaN HEMT
Xiangdong Li (李祥东)

Xiangdong Li (李祥东)

Xidian University, imec, KU Leuven
在 xidian.edu.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：821
GaN HEMT Reliability Power IC
June Sik Kwak

June Sik Kwak

Director, RFHIC Inc.
在 rfhic.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：571
WBG device GaN HEMT
Nitin Goyal

Nitin Goyal

Infineon Technologies AG
在 infineon.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：455
GaN HEMT GaN heterostructures III-V nitrides
Manikant

Manikant

Senior Quality Manager (GaN)
在 nexperia.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：453
GAN HEMT Reliability Wide bandgap semiconductor
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