Jinn-Kong Sheu

Jinn-Kong Sheu

Professor, Department of Photonics , National Cheng Kung University
在 mail.ncku.edu.tw 的电子邮件经过验证
被引用次数：11647
Semiconductors epitaxial growth LED Photodetectors PEC H2 generation HEMTs
Lu Liu

Lu Liu

University of Florida, Stanford University
在 stanford.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：2136
GaN semiconductor reliability HEMTs
Mohankumar N

Mohankumar N

PROFESSOR, ECE DEPARTMENT, BVRIT, Narsapur, Hyderabad
在 bvrit.ac.in 的电子邮件经过验证
被引用次数：1440
VLSI NANO ELECTRONICS HEMTS
Ling Yang

Ling Yang

Xidian University
在 xidian.edu.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：1354
Wideband Gap Semicondutor GaN HEMTs
Reynoso Hernández J.Apolinar

Reynoso Hernández J.Apolinar

Investigador Titular del Departamento de Electrónica y Telecomunicaciones
在 cicese.mx 的电子邮件经过验证
被引用次数：1189
Nonlinear RF Measurements De-embedding Parasitic resistances HEMTs Calibration techniques
Austin Lee Hickman

Austin Lee Hickman

Soctera, Inc.
在 soctera.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：1094
GaN AlN HEMTs high-power RF
Adam Jandl, Ph.D.

Adam Jandl, Ph.D.

Process Engineer, Lam Research
在 mit.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：965
Epitaxy Semiconductors HEMTS graded buffers
Dr.-Ing. Nidhi Chaturvedi

Dr.-Ing. Nidhi Chaturvedi

Senior Principal Scientist, CSIR-CEERI
在 ceeri.ernet.in 的电子邮件经过验证
被引用次数：716
FET MESFETs HEMTs High Power Biosensors
Helena Rodilla

Helena Rodilla

Chalmers University of Technology
在 chalmers.se 的电子邮件经过验证
被引用次数：508
Terahertz technology on-wafer terahertz measurements semiconductor physics HEMTs
Tien-Tung Luong

Tien-Tung Luong

National Chiao Tung University
在 nctu.edu.tw 的电子邮件经过验证
被引用次数：508
MOCVD III-V materials HEMTs 2D materials
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