Chu-Young Cho

Chu-Young Cho

Korea Advanced Nano fab Center
在 kanc.re.kr 的电子邮件经过验证
被引用次数：2955
III-nitride semiconductor Optoelectronic device MOCVD growth
Junjie Kang

Junjie Kang

CAS, Institute of Semiconductors
在 semi.ac.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：1010
III-V and II-VI Laser and LED MOCVD growth Nanostructure fabrication Power device
Bei Shi

Bei Shi

University of California, Santa Barbara
在 ucsb.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：879
Compound semiconductor MOCVD growth quantum dots lasers III-V on Si
Dr Senthil Kumar Eswaran

Dr Senthil Kumar Eswaran

Associate Professor (Research), Nanotechnology Research Center (NRC), SRMIST
在 srmist.edu.in 的电子邮件经过验证
被引用次数：846
Materials Physics: 2D materials (TMDs) MOCVD growth Van der Waals Epitaxy Pulsed Laser Deposition
Pierre-Marie Coulon

Pierre-Marie Coulon

Research engineer, CNRS-CRHEA
在 crhea.cnrs.fr 的电子邮件经过验证
被引用次数：694
nanotechnology GaN nanostructures MOCVD growth characterization
Raju Ahmed, Ph. D.

Raju Ahmed, Ph. D.

Sr R&D Engineer at Micron Technology
在 micron.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：439
EUV & Immersion Lithography CVD Diamond Group III Nitride HEMT MOCVD Growth Spintronics.
Philip Chan

Philip Chan

University of California, Santa Barbara
在 ucsb.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：203
III-Nitrides MOCVD Growth InN
Theresa Saenz

Theresa Saenz

Postdoctoral Researcher, National Renewable Energy Lab
在 nrel.gov 的电子邮件经过验证
被引用次数：164
Photovoltaic energy MOCVD growth semiconductors
Qingbin Ji

Qingbin Ji

Phd candicate, Peking University, Bejing
在 pku.edu.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：102
GaN Semiconductor Optoelectronic Devices MOCVD growth
Sean Tozier

Sean Tozier

SUNY Polytechnic Institute
在 sunypoly.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：54
III-Nitrides MOCVD growth Mg doping Vertical Power Devices
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