| Токи двойной инжекции в полупроводниках ЭИ Адирович, АЮ Карагеоргий-Алкалаев, АЮ Лейдерман Сов. радио, 1978 | 119 | 1978 |
| Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев Арсенида Галлия и твердых растворов на его основе AS Saidov, MS Saidov, ÈA Koščanov, VM Tučkevič Издательство" Фан" Узбекской ССР, 1986 | 38 | 1986 |
| Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями ПМ Карагеоргий-Алкалаев, АЮ Лейдерман Ташкент: Фан 200, 1981 | 28 | 1981 |
| Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах АЮ Лейдерман, МК Минбаева Физика и техника полупроводников 30 (10), 1729-1728, 1996 | 21 | 1996 |
| Физические основы образования глубоких уровней в кремнии С Зайнабидинов Фан, 1984 | 18 | 1984 |
| Диффузия скандия в кремнии ГК Азимов, С Зайнабидинов, ДЭ Назыров Физика и техника полупроводников 23 (3), 556-557, 1989 | 17 | 1989 |
| Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках ПМ Карагеоргий-Алкалаев, АЮ Лейдерман Фан, 1971 | 14 | 1971 |
| Термовольтаический эффект в варизонном твердом растворе SiGe (0 1) АС Саидов, АЮ Лейдерман, АБ Каршиев Письма в Журнал технической физики 42 (14), 21-27, 2016 | 13 | 2016 |
| Вольт-амперная характеристика p− n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)(CdS) x АС Саидов, АЮ Лейдерман, ШН Усмонов, КТ Холиков Физика и техника полупроводников 43 (4), 436-438, 2009 | 13 | 2009 |
| О возможности улучшения структурного совершенства новых гетеропар GaAs--(Ge 2) 1-x (ZnSe) x, Ge--(Ge 2) 1-x (ZnSe) x, GaP--(Ge 2) 1-x (ZnSe) x, Si--(Ge 2) 1-x (ZnSe) x АС Саидов, ЭА Кошчанов, АШ Раззаков Письма в Журнал технической физики 24 (2), 12-16, 1998 | 13 | 1998 |
| Получение и исследование непрерывного твердого раствора (Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y АС Саидов, ШН Усмонов, КТ Холиков, Д Сапаров Письма в Журнал технической физики 33 (16), 59-64, 2007 | 11 | 2007 |
| Диффузия самария и гадолиния в кремнии С Зайнабидинов, К Адамбаев, АА Иминов, ДЭ Назыров Uzbek Journal of Physics 4 (1), 66-68, 2002 | 11 | 2002 |
| Диффузия эрбия в кремнии С Зайнабидинов, ДЭ Назиров, АЖ Акбаров, АА Иминов, ... Письма в Журнал технической физики 24 (2), 68-71, 1998 | 11 | 1998 |
| Влияние рекомбинационных процессов на механизм Токопрохождения в pSi-nSi1-xSnx (0£x£0.04) структурах С Зайнабидинов, ХМ Мадаминов Петербургский журнал электроники, 8-12, 2017 | 10 | 2017 |
| Возможность получения пленок (GaSb)(Si2) x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии ШН Усмонов, АС Саидов, АЮ Лейдерман, Д Сапаров, КТ Холиков Физика и техника полупроводников 43 (8), 2009 | 10 | 2009 |
| Тепловольтаические свойства солнечно-плавленого технического кремния АС Саидов, АА Абакумов, МС Саидов, ШН Усмонов, КТ Холиков Гелиотехника 4, 102-104, 2007 | 9 | 2007 |
| Солнечно-радиационная плавка поликристаллического кремния АС Саидов, АА Абакумов, МС Саидов Гелиотехника, 96-97, 2003 | 9 | 2003 |
| Э А. Кошчанов ШК Исмаилов А Ш Раззаков АС Саидов Труды международной конференции, посвященной, 353-355, 1999 | 9 | 1999 |
| Выращивание пленок (InSb)(Sn2) x на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии АС Саидов, МС Саидов, ШН Усмонов, УП Асатова Физика и техника полупроводников 44 (7), 2010 | 8 | 2010 |
| О коэффициентах диффузии 3d элементов в кремнии С Зайнабидинов, М Носиров, Ж Алиева Узб. Физ. Жур 1, 69-71, 2003 | 8 | 2003 |
