受强制性开放获取政策约束的文章 - Lu Bin了解详情
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A novel high-performance planar InAs/GaSb face-tunneling FET with implanted drain for leakage current reduction
Z Lyu, H Lv, Y Zhang, Y Zhang, Y Zhu, J Sun, M Li, B Lu
IEEE Transactions on Electron Devices 68 (3), 1313-1317, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Characteristics of InAs/GaSb line-tunneling FETs with buried drain technique
B Lu, Y Cui, A Guo, D Wang, Z Lv, J Zhou, Y Miao
IEEE Transactions on Electron Devices 68 (4), 1537-1541, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
A Compact Model for Nanowire Tunneling-FETs
B Lu, D Wang, Y Cui, Z Li, G Chai, L Dong, J Zhou, G Wang, Y Miao, Z Lv, ...
IEEE Transactions on Electron Devices 69 (1), 419-426, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
A non-quasi-static model for tunneling FETs based on the relaxation time approximation
B Lu, Z Lv, H Lu, Y Cui
IEEE Electron Device Letters 40 (12), 1996-1999, 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
A Fully Analytical Current Model for Gate–Source Overlap Tunneling FETs as the Ternary Devices
Z Lyu, H Lu, C Liu, Y Zhang, Y Zhang, Y Zhu, J Sun, B Lu, Z Jia, M Zhao
IEEE Transactions on Electron Devices 69 (10), 5900-5905, 2022
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
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A novel planar architecture for heterojunction TFETs with improved performance and its digital application as an inverter
S Yang, H Lv, B Lu, S Yan, Y Zhang
IEEE Access 8, 23559-23567, 2020
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
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