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Coherent manipulation with resonant excitation and single emitter creation of nitrogen vacancy centers in 4H silicon carbide
Z Mu, SA Zargaleh, HJ von Bardeleben, JE Fröch, M Nonahal, H Cai, ...
Nano letters 20 (8), 6142-6147, 2020
强制性开放获取政策： US Department of Defense, Australian Research Council, A*Star, Singapore …
Experimental optical properties of single nitrogen vacancy centers in silicon carbide at room temperature
JF Wang, ZH Liu, FF Yan, Q Li, XG Yang, L Guo, X Zhou, W Huang, JS Xu, ...
Acs Photonics 7 (7), 1611-1616, 2020
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
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