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Demonstration of the hydrogen passivated GaN HEMTs IC platform
F Li, A Li, Y Wang, Y Zhu, C Yu, C Ding, S Wu, W Liu, G Yu, X Gao, ...
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs …, 2023
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
TCAD-Based Investigation of the Electrical Characteristics of Normally off p-GaN Passivated GaN HEMTs
Y Wang, F Li, X Chi, W Liu, G Yu, Z Du, B Zhang
2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 57-60, 2022
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
The Comparison of Dynamic Performance Between Hydrogen Treated and Etched p-GaN HEMTs
S Wu, F Li, Y Zhu, Y Huang, C Yu, Y Wang, X Chi, H Wen, W Liu
2023 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 152-155, 2023
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
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