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Enhanced heat dissipation in gallium nitride-based light-emitting diodes by piezo-phototronic effect
Q Guo, D Li, Q Hua, K Ji, W Sun, W Hu, ZL Wang
Nano Letters 21 (9), 4062-4070, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Temperature-dependent study on AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode for the origin of high ideality factor
Y Liao, D Li, Q Guo, Y Liu, H Wang, W Hu, ZL Wang
AIP Advances 11 (10), 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Effect of backside dry etching on the device performance of AlGaN/GaN HEMTs
K Ji, X Cui, J Chen, Q Guo, B Jiang, B Wang, W Sun, W Hu, Q Hua
Nanotechnology 32 (35), 355203, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Magnetosensory Power Devices Based on AlGaN/GaN Heterojunctions for Interactive Electronics
X Zhou, Q Hua, W Sha, J Zhu, T Liu, C Jiang, Q Guo, L Jing, C Du, J Zhai, ...
Advanced Electronic Materials, 2200941, 2023
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