| Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1− xN/AlN MQWs DB Li, WG Hu, H Miyake, K Hiramatsu, H Song Chinese Physics B 19 (12), 127801, 2010 | 5 | 2010 |
| 化合物半導体混晶の Miscibility 西永頌， 平松和政 応用物理 50 (10), 1065-1072, 1981 | 3 | 1981 |
| 有機金属気相法で作製した InGaN 厚膜の成長過程の TEM 観察: 組成不均一の発生 (< 小特集> III 族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか) 桑野範之， 滝海， 沖憲典， 川口靖利， 平松和政， 澤木宣彦 日本結晶成長学会誌 25 (2), 106-112, 1998 | 2 | 1998 |
| 新インターユニバーシティ半導体工学 平松和政， 元垣内敦司 (No Title), 2009 | 1 | 2009 |
| 半導体工学 平松和政 (No Title), 2009 | 1 | 2009 |
| 近接場光学顕微鏡による InGaN 量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価 (< 特集> 窒化物半導体結晶中の欠陥) 金田昭男， 船戸充， 川上養一 日本結晶成長学会誌 36 (3), 178-190, 2009 | 1 | 2009 |
| 有効媒質近似を用いた GaN ナノ針状構造の光学モデルの構築 神崎陽介， 若木守明， 三宅秀人， 平松和政 東海大学紀要工学部 46 (2), 17-22, 2006 | 1 | 2006 |
| Si 基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価 石井丈晴， 松岡史晃， 三宅秀人 電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報 106 (45), 45-50, 2006 | 1 | 2006 |
| MOVPE 法によるサファイヤ基板上への GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果 平松和政， 天野浩， 小出典克， 赤崎勇 日本結晶成長学会誌 15 (3-4), 334-342, 1989 | 1 | 1989 |
| 表面プラズモン共鳴による近紫外・可視光波長選択光吸収体の作製 元垣内敦司， 清水清義， 赤塚かれん， 田中凌雅， 平松和政 電子情報通信学会技術研究報告; 信学技報 122 (159), 44-49, 2022 | | 2022 |
| 二層型ワイヤーグリッド構造における表面プラズモン共鳴を用いた狭帯域可視光完全吸収体 清水清義， 平松和政， 元垣内敦司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 68 回応用物理学会春季学術講演会, 966-966, 2021 | | 2021 |
| 金属回折格子における非伝搬モードの表面プラズモン共鳴と量子ドットの発光 伊藤崚汰， 平松和政， 元垣内敦司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 81 回応用物理学会秋季学術講演会, 531-531, 2020 | | 2020 |
| 金属回折格子における非伝搬モードの表面プラズモン共鳴 伊藤崚汰， 平松和政， 元垣内敦司 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 67 回応用物理学会春季学術講演会, 1089-1089, 2020 | | 2020 |
| 焦点制御型回折レンズの位相シフトと集光特性の関係 加藤亮， 元垣内敦司， 三宅秀人， 平松和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 79 回応用物理学会秋季学術講演会, 622-622, 2018 | | 2018 |
| Ag ワイヤーグリッド構造を用いたプラズモニック波長板の設計と作製に関する研究 渡邊陽生， 元垣内敦司， 三宅秀人， 平松和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 79 回応用物理学会秋季学術講演会, 993-993, 2018 | | 2018 |
| カソードルミネッセンス法による AlGaN 多重量子井戸構造の転位近傍の局所発光 倉井聡， 井村暢杜， 三宅秀人， 平松和政， 山田陽一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 65 回応用物理学会春季学術講演会, 3600-3600, 2018 | | 2018 |
| 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性 伊藤優佑， 元垣内敦司， 三宅秀人， 平松和政 電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報 117 (406), 47-52, 2018 | | 2018 |
| 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究 渡邊直也， 元垣内敦司， 三宅秀人， 平松和政 電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報 117 (404), 41-45, 2018 | | 2018 |
| MOVPE 法による AlN 膜の face-to-face アニール 田中襲一， 岡田俊祐， 林侑介， 三宅秀人， 平松和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会, 3412-3412, 2017 | | 2017 |
| AlN における酸素起因極性反転の理論的検討 内野基， 秋山亨， 中村浩次， 伊藤智徳， 三宅秀人， 平松和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会, 3432-3432, 2017 | | 2017 |
Kazumasa HiramatsuMie University, Emeritus Professore在 elec.mie-u.ac.jp 的电子邮件经过验证
Kazumasa HiramatsuMie University, Emeritus Professore在 elec.mie-u.ac.jp 的电子邮件经过验证
Atsushi Motogaito三重大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻准教授在 elec.mie-u.ac.jp 的电子邮件经过验证