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Impact of channel length and width for charge transportation of graphene field effect transistor
K Hosen, MR Islam, K Liu
Chinese Journal of Chemical Physics 33 (6), 757-763, 2020
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
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Numerical investigations of nanowire gate-all-around negative capacitance GaAs/InN tunnel FET
AAM Mazumder, K Hosen, MS Islam, J Park
IEEE Access 10, 30323-30334, 2022
强制性开放获取政策： 中国科学院
Numerical Analysis of Gate-All-Around HfO2/TiO2/HfO2 High-K Dielectric Based WSe2 NCFET With Reduced Sub-Threshold Swing and High On/Off Ratio
K Hosen, MS Islam, C Stampfl, J Park
IEEE Access 9, 116254-116264, 2021
强制性开放获取政策： 中国科学院
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