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Visualizing carrier transitions between localization states in a InGaN yellow–green light-emitting-diode structure
Y Li, Z Deng, Z Ma, L Wang, H Jia, W Wang, Y Jiang, H Chen
Journal of Applied Physics 126 (9), 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Stripping GaN/InGaN epitaxial films and fabricating vertical GaN-based light-emitting diodes
X Tang, Z Ma, L Han, Z Deng, Y Jiang, W Wang, H Chen, C Du, H Jia
Vacuum 187, 110160, 2021
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Effect of H2 treatment in barrier on interface, optical and electrical properties of InGaN light emitting diodes
Y Li, S Yan, X Hu, Y Song, Z Deng, C Du, W Wang, Z Ma, L Wang, H Jia, ...
Superlattices and Microstructures 145, 106606, 2020
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Luminescence study in InGaAs/AlGaAs multi-quantum-well light emitting diode with p–n junction engineering
L Han, M Zhao, X Tang, W Huo, Z Deng, Y Jiang, W Wang, H Chen, C Du, ...
Journal of Applied Physics 127 (8), 2020
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Characterization of periodicity fluctuations in InGaN/GaN MQWs by the kinematical simulation of X-ray diffraction
Y Li, J Die, S Yan, Z Deng, Z Ma, L Wang, H Jia, W Wang, Y Jiang, ...
Applied Physics Express 12 (4), 045502, 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Improved crystal quality of non-polar a-plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r-sapphire substrates
C Wang, Y Jiang, J Die, S Yan, X Hu, W Hu, Z Ma, Z Deng, H Jia, H Chen
CrystEngComm 21 (17), 2747-2753, 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Effect of initial condition on the quality of GaN film and AlGaN/GaN heterojunction grown on flat sapphire substrate with ex-situ sputtered AlN by MOCVD
Z Su, R Kong, X Hu, Y Song, Z Deng, Y Jiang, Y Li, H Chen
Vacuum 201, 111063, 2022
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
Enhancement of light extraction efficiency of AlGaInP-based light emitting diodes by silicon oxide hemisphere array
X Tang, L Wang, M Zhao, W Huo, L Han, Z Deng, Y Jiang, W Wang, ...
Optics Communications 481, 126539, 2021
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
Characterization of edge dislocation density through X-ray diffraction rocking curves
Y Li, S Yan, X Hu, Y Song, Z Deng, C Du, W Wang, Z Ma, L Wang, H Jia, ...
Journal of Crystal Growth 551, 125893, 2020
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
Research on photo-generated carriers escape in PIN and NIN structures with quantum wells
X Tang, X Li, C Yue, L Wang, Z Deng, H Jia, W Wang, A Ji, Y Jiang, ...
Applied Physics Express 13 (7), 071009, 2020
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Reduction in crystalline quality anisotropy for non-polar a-plane GaN directly grown on titanium patterned sapphire substrate
J Die, C Wang, S Yan, X Hu, W Hu, Z Ma, Z Deng, C Du, L Wang, H Jia, ...
Applied Physics Express 12 (1), 015503, 2018
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Fabrication of large-scale uniform submicron inverted pyramid pit arrays on silicon substrates by laser interference lithography
R Xu, Z Deng, Y Yue, S Wang, X Li, Z Ma, Y Jiang, L Wang, C Du, H Jia, ...
Vacuum 165, 1-6, 2019
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
A study of 2DEG properties in AlGaN/GaN heterostructure using GaN/AlN superlattice as barrier layers grown by MOCVD
F Chen, H Chen, Z Deng, T Lu, Y Fang, Y Jiang, Z Ma, M He
Applied Physics A 118, 1453-1457, 2015
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Comparing single-, double-and triple-layer anti-reflection coatings for ultra-low reflectance in silicon heterojunction solar cells
B Hao, Y Song, C Jiang, J Han, Y Jiang, Z Deng, W Wang, H Jia, H Chen, ...
Japanese Journal of Applied Physics 62 (6), 061002, 2023
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
Characterization and optimization of AlN nucleation layer for nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate
J Die, C Wang, S Yan, X Hu, W Hu, Z Ma, Z Deng, C Du, L Wang, H Jia, ...
Superlattices and Microstructures 130, 215-220, 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO 2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate
S Yan, J Die, C Wang, X Hu, Z Ma, Z Deng, C Du, H Jia, Y Jiang, H Chen
CrystEngComm 21 (34), 5124-5128, 2019
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Investigations of atomic configurations of 60° basal dislocations in wurtzite GaN film by high-resolution transmission electron microscopy
Y Chang, Y Wang, Z Deng, H Chen, B Ge
Philosophical Magazine Letters 96 (4), 148-156, 2016
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
The flexible LED fabrication by transferring epitaxial film onto PET
X Tang, Z Gao, Z Ma, N Zhang, Z Deng, Y Jiang, W Wang, H Chen, C Du, ...
Optical Materials 121, 111597, 2021
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
Electro-photoluminescence study in InGaAs/AlGaAs multi-quantum-wells
L Han, M Zhao, X Tang, W Huo, Z Deng, Y Jiang, W Wang, H Chen, C Du, ...
Europhysics Letters 132 (2), 24004, 2020
强制性开放获取政策： 国家自然科学基金委员会
Fabrication, structural and optical properties of a virtual GeSi template by Ge filling the porous Si prepared by EC etching
S Wang, Z Deng, X Li, J Li, Y Li, R Xu, Y Jiang, Z Ma, L Wang, C Du, H Jia, ...
Japanese Journal of Applied Physics 59 (5), 050904, 2020
强制性开放获取政策： 中国科学院, 国家自然科学基金委员会
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