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Ole Hitzemann
Ole Hitzemann
Researcher, Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin
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Electrically driven single photon source based on a site-controlled quantum dot with self-aligned current injection
W Unrau, D Quandt, JH Schulze, T Heindel, TD Germann, O Hitzemann, ...
Applied Physics Letters 101 (21), 2012
662012
Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor
A Strittmatter, A Schliwa, JH Schulze, TD Germann, A Dreismann, ...
Applied Physics Letters 100 (9), 2012
462012
Site‐controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers
A Strittmatter, A Holzbecher, A Schliwa, JH Schulze, D Quandt, ...
physica status solidi (a) 209 (12), 2411-2420, 2012
372012
The influence of the group V/III molar precursor ratio on the structural properties of InGaN layers grown by HPCVD
G Durkaya, M Buegler, R Atalay, I Senevirathna, M Alevli, O Hitzemann, ...
physica status solidi (a) 207 (6), 1379-1382, 2010
102010
Phononen-assistierte Anregungsprozesse und Hochanregungseffekte in positionierten einzelnen Quantenpunkten
O Hitzemann
PQDT-Global, 2019
2019
Self-aligned quantum-dot growth for single-photon sources
UW Pohl, A Strittmatter, JH Schulze, D Quandt, TD Germann, W Unrau, ...
2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials …, 2013
2013
Optical measurements on Gd doped GaN
O Hitzemann, M Kaiser, MR Wagner, JH Schulze, A Hoffmann, E Malguth, ...
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 2010
2010
Optical and magnetic properties of Gd doped GaN
O Hitzemann, M Kaiser, MR Wagner, JH Schulze, W Gehlhoff, A Hoffmann, ...
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 2009
2009
Bestimmung des Widerstandsbeiwerts
D Jorks, M Stubenrauch, D Seidlitz, O Hitzemann, C Martick
The effects of V/III molar ratio on structural properties of InGaN layers grown by HPCVD
G Durkaya, M Buegler, R Atalay, I Senevirathna, M Alevli, O Hitzemann, ...
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文章 1–10