摘要(中) 目前因氮化鎵與藍寶石基板的晶格常數與熱膨脹係數不匹配, 因而產生許多的缺陷在磊
晶結構中, 缺陷密度達108 至1010cm-2, 因此造成氮化銦鎵發光二極體元件的晶體結構品質較差 …

本論文中, 我們以有機金屬化學汽相沉積系統磊晶成長氮化物材料, 並成功研製具有高發光效率
與高抗靜電能力之氮化鎵系列發光二極體. 在提高發光效率方面, 發光二極體的透明導電層為高 …

氮化鎵系列光電元件可廣泛使用在不同波段之應用(從近紫到紅外), 並且可在高電場和高溫環境
下持續操作, 在近二十年來, 我們可以清楚看到氮化鎵系列雷射(Laser) 及發光二極體(LED) …

本論文使用金屬有機氣相沈積的方式製備相關的氮化物系列磊晶材料, 並在文章中探討其發光二
極體的品質, 元件效率, 亮度及抗靜電能力等特性的改善. 首先, 為了改善氮化物系列發光二極體 …

在本篇論文中, 我們以有機金屬化學氣相沉積法之技術成長氮化銦鎵/氮化鎵材料之藍光與綠光
的多層量子井結構發光二極體以及研究涵蓋光電特性的相關性質. 首先, 我們致力於氮化鎵系列 …

有兩種主要的方法來提高氮化鎵系列發光二極體的輸出效率, 其中包含, 1) 內部量子效率和2)
光萃取效率. 因此, 在本論文中, 我們提出了一些解決方案, 主要集中在改進氮化鎵系列材料的 …

本篇論文我們使用藍寶石基板來製作圖形化之基板. 一般而言, 氮化鎵磊晶層通常是成長在
藍寶石基板上, 這是因為沒有適當的基板可供氮化鎵異質結構成長. 由於氮化鎵磊晶層與藍寶石 …

由於氮化鎵具有極佳之光電特性, 常用以製作發光二極體, 雷射二極體, 太陽能電池, 光感測元件,
高功率電晶體以及高載子遷移率電晶體. 一維奈米結構具有高比表面積與低缺陷濃度之特性 …

本論文以有機金屬氣相磊晶法成長氮化物半導體材料, 並結合選擇性成長技術應用於發光二極體
及光偵測器元件. 首先利用二氧化矽介電材料當遮蔽層於氮化鎵基板上定義不同大小 …

本論文主要研究熱製程對氮化銦鎵磊晶薄膜, 氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體光學特性之影響.
實驗中發現快速退火處理會使X 光繞射及光激螢光光譜的半高寬變小, 這是因為熱處理步驟使得 …