[PDF][PDF] Research Progress of 2–5 μm Mid-Infrared GaSb Semiconductor Materials
P Yu, D Fang, J Tang, X Fang, D Wang, X Wang… - Appl. Phys, 2018 - pdf.hanspub.org
… 调制, 并且这样的波长带将使得其与InP 和GaAs 相比在光电器件应用方面具有更… 在InP 衬底
外延生长的GaAsSb 合金的材料性质的影响.厚度为1 μm 的 GaAsSb 合金在InP(100)和倾斜的InP …
外延生长的GaAsSb 合金的材料性质的影响.厚度为1 μm 的 GaAsSb 合金在InP(100)和倾斜的InP …
[PDF][PDF] MBE 脱氧条件与InGaAs/InP APD 性能的相关性
郭子路， 王文娟， 曲会丹， 范柳燕， 诸毅诚… - 红外与毫米波 …, 2023 - journal.sitp.ac.cn
… 3 Device preparation and characterization After characterization,the incident surfaces of
APD materials were coated with SiNx ARC to eliminate reflec⁃ tions from the air-…
APD materials were coated with SiNx ARC to eliminate reflec⁃ tions from the air-…
[HTML][HTML] 定向凝固法多晶硅杂质控制数值模拟概述
苏文佳， 牛文清， 齐小方， 李琛， 王军锋 - 材料导报, 2018 - mater-rep.com
… stirring melt convection, they have gradually found application in the crystal growth process.
… On the basis of an analysis over impurity sources and transport mechanism, this review …
… On the basis of an analysis over impurity sources and transport mechanism, this review …
[HTML][HTML] 1.55 μm AlGaInAs/InP 小发散角量子阱激光器的仿真和制备
熊迪， 郭文涛， 郭小峰， 刘海峰， 廖文渊… - Journal of Infrared …, 2019 - journal.sitp.ac.cn
1.55 μm AlGaInAs/InP quantum well lasers with low beam divergence are theoretically designed
and experimentally fabricated. An asymmetrical mode expand layer (MEL) was inserted …
and experimentally fabricated. An asymmetrical mode expand layer (MEL) was inserted …
面向量子点电致发光二极管的蓝光InP 和ZnSe 量子点研究现状.
杨书淇， 刘方海， 陈萍， 陈雷 - … Journal of Liquid Crystal & …, 2023 - search.ebscohost.com
… 对InP量子点进行适当的壳层包覆,InP核 包覆ZnS 壳层不仅可以防止InP 核被氧化,提高 其稳定性
,还能作为阻挡层抑制InP 核… density and luminance versus driving voltage characteristics[38]. …
,还能作为阻挡层抑制InP 核… density and luminance versus driving voltage characteristics[38]. …
[PDF][PDF] 空位和填隙缺陷对半绝缘InP 单晶性质的影响
赵有文， 吕小红， 董志远， 段满龙， 孙文荣 - 半导体学报, 2007 - jos.ac.cn
… 实验所用半绝缘(SI)InP单晶样品有两种,一 种为高压液封直拉法(LEC)生长的掺铁SI.InP,另 一
种为磷化铁气氛下高温退火非掺杂InP制备的半 绝缘材料,具体制备过程见参考文献[-19,20i.测试 …
种为磷化铁气氛下高温退火非掺杂InP制备的半 绝缘材料,具体制备过程见参考文献[-19,20i.测试 …
[HTML][HTML] InAs 基InAs/Ga (As) Sb II 类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究
吴佳， 徐志成， 陈建新， 何力 - Journal of Infrared and Millimeter …, 2019 - journal.sitp.ac.cn
Wet chemical etching of InAs-based InAs/Ga (As) Sb superlattice long wavelength infrared
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid, …
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid, …
电子功能外延薄膜的电沉积
黄葵， 黄容姣， 刘素琴， 何震 - 电化学, 2022 - electrochem.xmu.edu.cn
… (c) The morphology change of the Cu2O films on InP(111) electrodeposited with increased
… to be characterized. In this section, common methods employed to characterize the epitaxial …
… to be characterized. In this section, common methods employed to characterize the epitaxial …
无位错Te-GaSb (100) 单晶抛光衬底的晶格完整性.
冯银红， 沈桂英， 赵有文， 刘京明… - … of Synthetic Crystals, 2022 - search.ebscohost.com
… damage of this GaSb single crystal polished substrate were characterized by X-ray rocking
… 剪切应力时,会在晶体中产生位错,因 此,低位错密度的InP 和InAs 单晶主要利用VGF 法生长制备 …
… 剪切应力时,会在晶体中产生位错,因 此,低位错密度的InP 和InAs 单晶主要利用VGF 法生长制备 …
[PDF][PDF] 杂质Zn 在InP 中的扩散机制
赵爱英， 叶玉堂， 吴云峰， 王昱琳， 张雪琴… - Laser & …, 2005 - researching.cn
… 在InP 中的两种扩散机制, 间隙-替代机制和Kick-out 机制. InP 为n 型时, 扩散机制为间隙-替代式
; InP … 重点介绍了三种不同模型, 解释Zn 在InP 中通过间隙原替代机制进行扩散时, 空穴浓度与Zn …
; InP … 重点介绍了三种不同模型, 解释Zn 在InP 中通过间隙原替代机制进行扩散时, 空穴浓度与Zn …