[HTML][HTML] InAs 基InAs/Ga (As) Sb II 类超晶格长波红外探测器湿法腐蚀研究
吴佳， 徐志成， 陈建新， 何力 - Journal of Infrared and Millimeter …, 2019 - journal.sitp.ac.cn
Wet chemical etching of InAs-based InAs/Ga (As) Sb superlattice long wavelength infrared
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid …
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid …
Wet etching for InAs-based InAs/Ga (As) Sb superlattice long wavelength infrared detectors
吴佳， 徐志成， 陈建新， 何力 - Journal of Infrared and Millimeter …, 2019 - journal.sitp.ac.cn
Wet chemical etching of InAs-based InAs/Ga (As) Sb superlattice long wavelength infrared
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid …
photodiodes was studied in this paper. The etching experiments using citric acid …
Studies on the surface treatment of InAs/GaSb type-II super-lattice long-wave infrared detectors
崔玉容， 周易， 黄敏， 王芳芳， 徐志成… - Journal of Infrared …, 2023 - journal.sitp.ac.cn
开展了 InAs/GaSb II 类超晶格长波红外探测器的表面处理研究. 通过对不同处理工艺形成台面
器件的暗电流分析, 发现 N2O 等离子处理结合快速热退火 (RTA) 的优化工艺能够显著改善长波 …
器件的暗电流分析, 发现 N2O 等离子处理结合快速热退火 (RTA) 的优化工艺能够显著改善长波 …
Fabrication and characteristics of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared detector pixel mesas
崔玉容， 徐志成， 黄敏， 许佳佳， 陈建新… - Journal of Infrared and …, 2021 - journal.sitp.ac.cn
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元, 其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻
表面的特性密切相关. 对制备的 InAs/GaSb II 类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了 …
表面的特性密切相关. 对制备的 InAs/GaSb II 类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了 …
[PDF][PDF] InAs/GaSb II 类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性
崔玉容， 徐志成， 黄敏， 许佳佳， 陈建新， 何力 - 红外与毫米波学报, 2021 - researching.cn
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元, 其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻
表面的特性密切相关. 对制备的InAs/GaSb II 类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了 …
表面的特性密切相关. 对制备的InAs/GaSb II 类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了 …
[PDF][PDF] InAs/GaSb II 类超晶格长波红外探测器的表面处理研究
崔玉容， 周易， 黄敏， 王芳芳， 徐志成， 许佳佳… - 红外与毫米波 …, 2023 - researching.cn
本文开展了InAs/GaSb II 类超晶格长波红外探测器的表面处理研究. 通过对不同处理工艺形成
台面器件的暗电流分析, 发现N2O 等离子处理结合快速热退火(RTA) 的优化工艺能够显著改善 …
台面器件的暗电流分析, 发现N2O 等离子处理结合快速热退火(RTA) 的优化工艺能够显著改善 …
Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors
XY Xu, JK Jiang, WQ Chen, SN Cui, WG Zhou… - Chinese …, 2022 - iopscience.iop.org
The etching and passivation processes of very long wavelength infrared (VLWIR) detector
based on the InAs/GaSb/AlSb type-II superlattice have been studied. By studying the effect …
based on the InAs/GaSb/AlSb type-II superlattice have been studied. By studying the effect …
InAs/GaSb 台面结型器件制备工艺技术研究
李海燕， 曹海娜 - 红外, 2018 - journal.sitp.ac.cn
随着红外探测技术的不断进步, 第三代红外探测器的发展需求日渐明晰. 由于带间跃迁工作原理,
暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素, InAs/GaSb 超晶格材料已经成为了第三代 …
暗电流抑制效应以及成熟的材料制备技术基础等因素, InAs/GaSb 超晶格材料已经成为了第三代 …
InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究
程雨， 鲍英豪， 肖钰， 李春领， 亢喆， 刘铭 - 红外, 2020 - journal.sitp.ac.cn
在长波红外波段, InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,
因此得到了广泛研究. 对InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列 …
因此得到了广泛研究. 对InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列 …
Effects of etching processes on surface dark current of long-wave infrared InAs/GaSb superlattice detectors
J Xu, Z Xu, Z Bai, M Huang, A Huang, L Zheng… - Infrared Physics & …, 2020 - Elsevier
Surface leakage in long-wave infrared InAs/GaSb superlattice detectors is closely related to
the state of Sb on the sidewall surface. The presence of free Sb on the sidewall surface after …
the state of Sb on the sidewall surface. The presence of free Sb on the sidewall surface after …