Синтетический алмаз является перспективным материалом для детекторов ультрафиолетового (УФ) и ядерных излучений. Однако современная технология синтеза монокристаллов алмаза не позволяет с необходимой точностью управлять дефектно-примесным составом выращиваемых кристаллов. Добываемые природные кристаллы алмаза также отличаются от образца к образцу. Поэтому одной из проблем использования как природных, так и синтетических алмазов для детектирования УФ и ядерных излучений является необходимость предварительного отбора исходных кристаллов. Основной фоновой примесью как в природных, так и в синтетических алмазах является азот. Азот входит в состав большинства структурных дефектов и определяет основные отличия кристаллов. Учитывая, что принципы детектирования фотонов и частиц алмазными детекторами основаны на явлении фотопроводимости, в данной работе было рассмотрено влияние примеси азота на фотоэлектрические свойства синтетических алмазов.