Рассмотрены особенности построения ключевых усилителей мощности ВЧ-диапазона
и определены требования, предъявляемые к их элементной базе. Проведен анализ
свойств полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении мощных
ключевых транзисторов. Показано, что мощные МОП-транзисторы, изготовленные из
новых материалов, способны обеспечить высокое значение КПД в усилителях
мощности ВЧ-диапазона.