Методами двухимпульсного и стимулированного фотонного эха впервые определены времена продольной и поперечной релаксации на переходе между сверхтонкими подуровнями нижних электронных состояний мультиплетов 4I15/2 и 4I9/2 ионов 167Er3+ в кристалле 7LiYF4, находящемся в нулевом магнитном поле при температуре 4 K. Обнаружена модуляция в спаде сигнала фотонного эха, предположительно обусловленная суперсверхтонким взаимодействием ионов 167Er3+ с ближайшими ионами-лигандами 19F–. Обсуждаются вклады различных взаимодействий в сверхузкую ширину линии (~ 24 МГц) этого перехода. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного оптического перехода иона 167Er3+ в кристалле 7LiYF4 в рамановских схемах оптической квантовой памяти.