Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP

МГ Васильев, АМ Васильев, АД Изотов… - Неорганические …, 2014 - elibrary.ru
Исследования продолжают цикл работ по созданию полупроводниковых лазеров на
основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP. Рассматриваются технологические …
被引用次数：6 相关文章 所有 2 个版本

Разработка мощного полупроводникового лазера на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP с полосой модуляции до 10 ГГц

МГ Васильев, АМ Васильев, АА Шелякин - Неорганические …, 2010 - elibrary.ru
В продолжение цикла работ по созданию наногетероструктур InP/GaInAsP на основе
полупроводниковых твердых растворов рассмотрены технологические аспекты …
被引用次数：5 相关文章

High-temperature buried InP/GaInAsP heterostructure laser diode emitting at 1310 nm

MG Vasil'ev, AM Vasil'ev, AD Izotov, AA Shelyakin - Inorganic Materials, 2014 - Springer
As a continuation of our studies aimed at creating semiconductor lasers based on buried
InP/GaInAsP heterostructures, we consider the design and fabrication aspects of 1310-nm …
被引用次数：8 相关文章 所有 7 个版本

Технология и параметры зарощенного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм, работающего в СВЧ-диапазоне

МГ Васильев, АМ Васильев, АД Изотов… - Неорганические …, 2013 - elibrary.ru
Методом жидкофазной эпитаксии выращены наногетероструктуры InGaAsP/InP и
исследовано их структурное совершенство. На основе выращенных …
被引用次数：3 相关文章
[PDF] mathnet.ru

Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ( = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP

ВП Хвостиков, СВ Сорокина, НС Потапович… - Физика и техника …, 2018 - mathnet.ru
На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных
газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны …
被引用次数：2 相关文章 所有 5 个版本

Инфракрасный лазер (lambda= 3.2 мкм) на основе разъединенной pn гетероструктуры II типа с улучшенной температурной характеристикой

КД Моисеев, МП Михайлова, ОГ Ершов… - Письма в Журнал …, 1997 - elibrary.ru
Предложена и исследована лазерная структура на основе разъединенного
гетероперехода II типа p-GaInAsSb/n-InGaAsSb в активной области. Получена …
被引用次数：4 相关文章
[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур

АВ Лютецкий, КС Борщев, АД Бондарев… - Физика и техника …, 2007 - journals.ioffe.ru
Проблема увеличения мощности излучения полупроводниковых лазеров актуальна во
всем освоенном диапазоне длин волн. Применение концепции мощных …
被引用次数：10 相关文章 所有 3 个版本
[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур (λ= 1. 3− 1. 6мкм)

АЮ Лешко, АВ Лютецкий, НА Пихтин… - Физика и техника …, 2002 - journals.ioffe.ru
Проведена оптимизация мезаполосковой конструкции лазерного диода для
разработанной InGaAsP/InP-гетероструктуры, с целью достижения максимальной …
被引用次数：33 相关文章 所有 3 个版本
[PDF] mathnet.ru

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs (Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K

КД Мынбаев, НЛ Баженов, АА Семакова… - Физика и техника …, 2017 - mathnet.ru
Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и
InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур $ T $= 4.2 …
被引用次数：3 相关文章 所有 4 个版本
[PDF] mathnet.ru

[引用][C] Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов InAsSbPInAs ( мкм при 300 K) с широкозонным «окном»

АН Баранов, АН Именков, ЮП Яковлев - Письма в Журнал …, 1990 - mathnet.ru
Твердые растворы получались методом жидкофазной эпитаксии. На эффективность
иэлучательных переходов в р-п-структурах на основе£ пА $1^ х-. у $ Ьх Ру влияют …
被引用次数：2 相关文章 所有 2 个版本