Growth and optimization of GaInAsP/InP material system for quantum well infrared photodetector applications

M Erdtmann, J Jiang, AW Matlis… - … and Devices V, 2000 - spiedigitallibrary.org
Multi-quantum well structures of Ga x In 1-x As y P 1-y were grown by metalorganic chemical
vapor deposition for the fabrication of quantum well IR photodetectors. The thickness and …
被引用次数：7 相关文章 所有 7 个版本

Создание и исследование высокотемпературного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм на основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP

МГ Васильев, АМ Васильев, АД Изотов… - Неорганические …, 2014 - elibrary.ru
Исследования продолжают цикл работ по созданию полупроводниковых лазеров на
основе зарощенных гетероструктур InP/GaInAsP. Рассматриваются технологические …
被引用次数：6 相关文章 所有 2 个版本
[PDF] jst.go.jp

可視光半導体レーザー

鈴木徹 - 応用物理, 1987 - jstage.jst.go.jp
抄録 600nm 帯可視光半導体レーザーの研究開発は, ここ数年, かつてなかった急速な進展を遂げ
つつある. 歴史的課題であった素子の寿命も, 発振波長 678nm のレーザーにおいて, 室温で 4000 …
被引用次数：7 相关文章 所有 6 个版本