Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

L Vincent - 2016 - papyrus.bib.umontreal.ca
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d'antennes térahertz (THz), le
quaternaire InGaAsP (E_g= 0, 79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d'un recuit …
相关文章

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

L Vincent - 2016 - library-archives.canada.ca
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d'antennes térahertz (THz), le
quaternaire InGaAsP (E_g= 0, 79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d'un recuit …
[PDF] core.ac.uk

[PDF][PDF] Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

L Vincent - 2016 - core.ac.uk
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d'antennes térahertz (THz), le
quaternaire InGaAsP (Eg= 0, 79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d'un recuit …