[HTML][HTML] Формирование низкопористых слоев фосфида Индия с заданным уровнем качества
Для возможности формирования наноструктурированных слоев на поверхности
полупроводников с регулируемыми свойствами разработан морфологический …
полупроводников с регулируемыми свойствами разработан морфологический …
Forming the low-porous layers of indium phosphide with the predefined quality level
Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із
регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
Forming the low-porous layers of indium phosphide with the predefined quality level
Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із
регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов, ГА Сукач - 2010 - essuir.sumdu.edu.ua
В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие
влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его …
влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его …
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов… - Наносистеми …, 2010 - dspace.nbuv.gov.ua
В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной
подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен …
подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен …
[HTML][HTML] Жидкофазная эпитаксия на подложках пористого фосфида индия
ЛС Лунин, ИН Арсентьев… - Известия высших …, 2003 - cyberleninka.ru
Описан новый способ получения совершенных гетероструктур пористые подложки.
Проведены исследования гомои гетероструктур структур выращенных на подложках …
Проведены исследования гомои гетероструктур структур выращенных на подложках …
Концентрационная зависимость степени пористости полупроводникового кристалла InP при анодном электрохимическом травлении
ДА Тураев, АА Тоиров, ДА Мирзоев - Известия Академии наук …, 2020 - elibrary.ru
В работе была проведена анодная электрохимическая обработка
монокристаллического фосфида индия на основе плавиковой и соляной кислот, с …
монокристаллического фосфида индия на основе плавиковой и соляной кислот, с …
[HTML][HTML] Исследование химического состава пористой поверхности n-InP (111)
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов, ГА Сукач - … университета имени ВИ …, 2010 - cyberleninka.ru
Для получения пористой поверхности фосфида индия применялся метод
электрохимического травления. Морфология полученных пористых структур …
электрохимического травления. Морфология полученных пористых структур …
Дефектный механизм порообразования фосфида индия
АС Гайчук, ЯО Сичиков - 2011 - essuir.sumdu.edu.ua
Интерес к изучению дефектов кристаллов и их влияния на формирование пористых
слоев полупроводников возрос из-за требований, предъявляемых к чистоте и …
слоев полупроводников возрос из-за требований, предъявляемых к чистоте и …
[HTML][HTML] Исследование различных типов пор, полученных методом анодного травления на поверхности (111) InP
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов, ГА Сукач - … университета имени ВИ …, 2009 - cyberleninka.ru
Для получения пористой поверхности фосфида индия, применялся метод анодного
травления. Морфология полученных пористых структур исследовалась с помощью …
травления. Морфология полученных пористых структур исследовалась с помощью …