Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано …
В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его …
В данной работе исследовалось влияние кристаллографической ориентации исходной подложки фосфида индия на формирование пористой поверхности. Предложен …
Описан новый способ получения совершенных гетероструктур пористые подложки. Проведены исследования гомои гетероструктур структур выращенных на подложках …
АС Гайчук, ЯО Сичиков - 2011 - essuir.sumdu.edu.ua
Интерес к изучению дефектов кристаллов и их влияния на формирование пористых слоев полупроводников возрос из-за требований, предъявляемых к чистоте и …
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов, ГА Сукач - … университета имени ВИ …, 2009 - cyberleninka.ru
Для получения пористой поверхности фосфида индия, применялся метод анодного травления. Морфология полученных пористых структур исследовалась с помощью …