Improvement of III-V devices strongly depend on a better control of the dry etching process.
In this way we developed a multiscale approach combining a global model of plasma and a …

プラズマエッチングのモデリング, 特に, 微細加工形状進展を再現するためのモデルについて,
塩素系プラズマによる Si エッチングを中心に説明するとともに, プラズマダメージについても言及する …