The Materials Properties of a Nickel Based Composite Contact to n-Sic for Pulsed Power Switching
Novel Ni/WSi/Ti/Pt composite Ohmic contacts to n-SiC were investigated as a function of
annealing temperatures up to 1000° C. The onset of Ohmic behavior occurred at annealing …
annealing temperatures up to 1000° C. The onset of Ohmic behavior occurred at annealing …
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
ЯЯ Кудрик, РИ Бигун, РЯ Кудрик - … и конструирование в …, 2013 - irbis-nbuv.gov.ua
Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований
удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без …
удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без …
[PDF][PDF] Research Article Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces
PB Borowicz, A Kuchuk, Z Adamus, MB Borysiewicz… - 2013 - academia.edu
Research Article Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon
Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfa Page 1 Hindawi Publishing Corporation ISRN …
Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfa Page 1 Hindawi Publishing Corporation ISRN …
[PDF][PDF] ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ НА ВЕЛИЧИНУ УДЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ К …
БА Билалов, АС Гусев, ГК Сафаралиев - ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА, 2012 - ckp-nano.mephi.ru
Работа посвящена исследованию влияния технологических режимов термообработки
на величину удельного переходного сопротивления омических контактов к карбиду …
на величину удельного переходного сопротивления омических контактов к карбиду …
Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych: porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z …
P Borowicz, Z Adamus, M Ekielski, A Piotrowska… - Elektronika: konstrukcje …, 2012 - infona.pl
Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw
węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia …
węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia …
[PDF][PDF] Research Article Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy as a Tool for Investigation of Structural Changes and Redistribution of Carbon in Ni-Based …
Three samples of 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) covered with the following
sequence of layers: carbon/nickel/silicon/nickel/silicon were investigated with micro-Raman …
sequence of layers: carbon/nickel/silicon/nickel/silicon were investigated with micro-Raman …
[PDF][PDF] Direct Deposition of Low Resistance Thermally Stable Ohmic Contacts to n-SiC
MW Cole, PC Joshi, MH Ervin, JD Demaree, MC Wood… - academia.edu
Abstract Ni2Si Ohmic contacts were fabricated via pulsed laser deposition on n-SiC. The
contacts' electrical, structural, compositional, and surface morphological properties were …
contacts' electrical, structural, compositional, and surface morphological properties were …
[PDF][PDF] Contact ohmique de faible résistivité sur SiC-4H dopé type-P
M Soueidan, M Lazar, D Tournier, D Planson… - 4eme colloque sur les …, 2008 - hal.science
L'impact du métal Ti/Ni sur la formation d'un bon contact ohmique sur le SiC-4H dopé P a
été étudié. Nous avons fait varier la composition du métal et la température du recuit. Deux …
été étudié. Nous avons fait varier la composition du métal et la température du recuit. Deux …
[PDF][PDF] Załącznik 2A Warszawa, 8 grudnia 2017 r.
M Guziewicz - Materials Science And Engineering B, 2006 - rada-naukowa.ite.waw.pl
Podjęty w rozprawie temat badań dotyczy technologii metalizacji dla półprzewodnikowych
układów mocy pracujących w reżimie dużych obciążeń prądowych i/lub podwyższonej …
układów mocy pracujących w reżimie dużych obciążeń prądowych i/lub podwyższonej …
Study of Ni-based ohmic contacts fabricated on n-6H-SiC polar faces
MG Rastegaeva, AN Andreev… - … Conference. CAS'98 …, 1998 - ieeexplore.ieee.org
Electrical characteristics and composition of interface region were studied for Ni-based
ohmic contacts prepared on the n-6H-SiC polar faces at the various annealing temperatures …
ohmic contacts prepared on the n-6H-SiC polar faces at the various annealing temperatures …