High Power Operation of Visible-Light Laser Diodes
G HATAKOSHI, Y UEMATSU - The Review of Laser Engineering, 1989 - jstage.jst.go.jp
High-power InGaAlP laser diodes with a narrow-stripe and a broad-stripe structures have
been investigated. Reduction in the optical power density at the cavity facet is effective for …
been investigated. Reduction in the optical power density at the cavity facet is effective for …
InGaAIP Visible Semiconductor Lasers
Y UEMATSU - The Review of Laser Engineering, 1988 - jstage.jst.go.jp
抄録 Recent progress in InGaAIP visible semiconductor lasers is reviewed based, on our
results. Since the realization of CW operation of InGaAIP visible semiconductor lasers at …
results. Since the realization of CW operation of InGaAIP visible semiconductor lasers at …
GalnP のバンドギャップエネルギー異常と自然超格子
五明明子， 鈴木徹， 飯島澄男 - 応用物理, 1989 - jstage.jst.go.jp
抄録 有機金属気相成長により成長した Ga x In 1-x P 結晶のバンドギャップエネルギー (E g) が,
GaAs 基板に格子整合のとれた組成 (x= 0.5) のもとで, 既報告値~ 1.92 eV より約 90meV …
GaAs 基板に格子整合のとれた組成 (x= 0.5) のもとで, 既報告値~ 1.92 eV より約 90meV …
可視域短波長半導体レーザー: 現状と展望
末宗幾夫 - 応用物理, 1991 - jstage.jst.go.jp
抄録 青色領域の可視光半導体レーザーが近い将来実現される可能性について,
研究の現状とその展望について述べる. まず III-V 族半導体における短波長化の現状に触れた後に …
研究の現状とその展望について述べる. まず III-V 族半導体における短波長化の現状に触れた後に …
光半導体材料と可視発光デバイス
波多腰玄一 - 照明学会誌, 1993 - jstage.jst.go.jp
半導体 レーザおよび発光 ダイオー ドに代表 される発光素子は光通信, 光 情報処理, 光 計測, 表
示等, 様 々な用途に用いられている. 可 視領域 における発光素子は光情報処理機器の高機能化を …
示等, 様 々な用途に用いられている. 可 視領域 における発光素子は光情報処理機器の高機能化を …
赤色AlGalnP 半導体レーザーの高温・高出力動作
相賀正夫， 有本智 - 応用物理, 1994 - jstage.jst.go.jp
抄録 赤色半導体レ-ザーでは, 温度特性の改善が, 最も重要な課題であるが, これは GalnP
活性層と p 型 AlGalnP クラツド層の間の伝導帯のヘテロ障壁が低いため, 高温または高注入時に …
活性層と p 型 AlGalnP クラツド層の間の伝導帯のヘテロ障壁が低いため, 高温または高注入時に …
赤色半導体レーザーの高出力化
波多腰玄一， 植松豊 - レーザー研究, 1989 - jlc.jst.go.jp
High-power InGaAlP laser diodes with a narrow-stripe and a broad-stripe structures have
been investigated. Reduction in the optical power density at the cavity facet is effective for …
been investigated. Reduction in the optical power density at the cavity facet is effective for …