Thermoelectret state in Mn, Cr-DOPED Bi12SiO20 crystals
The method of thermally stimulated depolarization currents was used to investigate
electrically active defects in Bi12SiO20 doped with Mn and Cr-ions. The activation energy …
electrically active defects in Bi12SiO20 doped with Mn and Cr-ions. The activation energy …
Dynamics of Electric Field Screening in Semi‐Insulating ZnSe
VN Astratov, AS Furman, AV Ilinskii… - Physica status solidi …, 1991 - Wiley Online Library
The dynamics of the screening of an external electic field in semi‐insulating ZnSe is studied.
It is found that this dynamics exhibits two different regimes depending on the crystal …
It is found that this dynamics exhibits two different regimes depending on the crystal …
Electrically active defects in BiSiO crystals undoped and doped with Cr and Mn ions
TV Panchenko, LM Karpova - Physics of the Solid State, 1998 - Springer
The influence of doping of Bi 12 SiO 20 (BSO) with chromium and manganese ions on the
thermal depolarization currents (TDCs) is investigated. Measurements are performed in the …
thermal depolarization currents (TDCs) is investigated. Measurements are performed in the …
[PDF][PDF] Электрически активные дефекты в нелегированных и легированных ионами Cr и Mn кристаллах Bi12SiO20
ТВ Панченко, ЛМ Карпова - Физика твердого тела, 1998 - journals.ioffe.ru
Исследовано влияние легирования кристаллов Bi12SiO20 (BSO) ионами Cr и Mn на
токи термодеполяризации (ТСД). Измерения выполнялись в температурном интервале …
токи термодеполяризации (ТСД). Измерения выполнялись в температурном интервале …
Фото- и термоэлектретное состояние в кристаллах BiSiO
ТВ Панченко, ГВ Снежной - Физика твердого тела, 1991 - mathnet.ru
Методами термодеполяризационного анализа исследовано фото-и термоэлектретное
состояние в кристаллах Bi $ _ {12} $ SiO $ _ {20} $ в области температур 300$-$800 K …
состояние в кристаллах Bi $ _ {12} $ SiO $ _ {20} $ в области температур 300$-$800 K …
Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
ВН Астратов, АВ Ильинский, АС Фурман - Физика твердого тела, 1989 - mathnet.ru
Теоретически и экспериментально исследованы два новых режима в динамике
экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных …
экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных …
Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
ВН Астратов, АВ Ильинский, СМ Репин… - Физика твердого …, 1990 - mathnet.ru
Теоретически и экспериментально исследована динамика экранирования внешнего
электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в …
электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в …
Charge Transport in High-Resistivity Photorefractive Crystals (Bi12SiO20, ZnSe, GaAs)
AV Ilinskii - Photorefractive Materials, Effects, and Devices II, 1991 - opg.optica.org
The paper reviews our studies [1− 7] concerned of photoinduced charge dynamics and
electric field evolution in the case of external field screening. The experimental methods …
electric field evolution in the case of external field screening. The experimental methods …
Polarization properties of Bi12SiO20 crystals
T Panchenko, A Kudzin, Y Potapovich… - … Materials, Effects, and …, 1991 - opg.optica.org
Abstract Photorefractive crystals Bi 12 SiO 20 (BSO) are particular interest for applications
such as spatial light modulators, image amplification and the like. Some properties are …
such as spatial light modulators, image amplification and the like. Some properties are …
Экранирование поля в -структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
АВ Ильинский, МН Степанова - Физика и техника полупроводников, 1992 - mathnet.ru
С помощью оптического метода наблюдения эволюции электрического поля,
использующего эффект Франца $-$ Келдыша, исследовалась обратно смещенная $ p …
использующего эффект Франца $-$ Келдыша, исследовалась обратно смещенная $ p …