Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals I: Models and experimental methods.
K Buse - Applied Physics B: Lasers & Optics, 1997 - search.ebscohost.com
Light-induced charge transport processes are essential for photorefractive effects in
electrooptic crystals. Charge driving forces, charge transport models and experimental …
electrooptic crystals. Charge driving forces, charge transport models and experimental …
Generation of coherent current pulses and delayed switching in relaxation GaAs p+‐iν‐n diodes
H Okushi - Journal of Applied Physics, 1977 - pubs.aip.org
In GaAs p+‐ν‐n diodes prepared from high‐resistivity Cr‐doped GaAs, generation of
coherent current pulses (CCP) has been observed in the forward bias region V th? V< V sw …
coherent current pulses (CCP) has been observed in the forward bias region V th? V< V sw …
Особенности кинетики нарастания фототока в структуре металл–германат висмута–металл
НИ Кацавец, ЕИ Леонов, ЕБ Шадрин… - Журнал технической …, 1984 - mathnet.ru
Исследована кинетика нарастания фототока в структуре металл–германат висмута–
металл (М $-$ Bi $ _ {12} $ GeO $ _ {20}{-} $ М). Показано, что кривая нарастания …
металл (М $-$ Bi $ _ {12} $ GeO $ _ {20}{-} $ М). Показано, что кривая нарастания …
Magnetic field effects on carrier transport in relaxation case GaAs
H Okushi, S Iizima, M Kikuchi - Solid State Communications, 1973 - Elsevier
New phenomena of carrier transport in relaxation case pin GaAs diode were observed
under the magnetic field. These are (1) drastic changes in the profile of the transient …
under the magnetic field. These are (1) drastic changes in the profile of the transient …
Физико-химические основы направленного синтеза монокристаллов силленитов с регулируемыми функциональными характеристиками
АВ Егорышева - 2005 - static.freereferats.ru
Кристаллы со структурой силленита Bii2Ge02o, Bii2Si02o, Bii2Ti02o в ряду материалов,
используемых в оптоэлектронике, характеризуются высокими значениями показателя …
используемых в оптоэлектронике, характеризуются высокими значениями показателя …
Relaxation Case 半導体
大串秀世 - 電氣學會雜誌, 1976 - jstage.jst.go.jp
我々が普通取り扱か う半導 体は, 少 数キャリァ拡散距離ライフタイム (τ0) に比較して誘電緩和
時間 (τd) が無視できる系である. このような系では電荷の中性条件がキャリァの運動を支配 …
時間 (τd) が無視できる系である. このような系では電荷の中性条件がキャリァの運動を支配 …
[引用][C] On properties of the relaxation semiconductors GaAs: O and GaAs: Cr-a short overview
G Badics, Z Szalmassy - Microelectronics Journal, 1982 - Elsevier
In this paper some peculiar properties of GaAs: O and GaAs: Cr are discussed. Thin film
contacts made of various metals such as Zn, Ag, Cu and Sn were used for measurements on …
contacts made of various metals such as Zn, Ag, Cu and Sn were used for measurements on …