Показано, что магнетронно нанесенные на поверхность монокристаллических пластин
GaAs наноразмерные (~ 29 нм) слои MnO 2 обусловливают транзитный механизм …

Проведены комплексные исследования технологических операций по подготовке
подложек фосфида индия для процессов эпитаксиального роста гетероструктур …

Проведены технологические исследования по созданию зарощенных гетероструктур
для полупроводниковых одномодовых лазеров, работающих в спектральном …

Изучено взаимодействие травителей и их смесей с подложками InP семейства
плоскостей {100}. Установлено, что выступающие или углубленные меза-полоски в …

Проводилось изучение процессов взаимодействия травителей и их смесей на
подложках InP семейства плоскостей {100}. Было установлено, что выступающие или …

Проведены комплексные физико-технологические исследования по созданию
мезаполосковых структур с каналом в подложке, и последующим заращиванием …