Evaluation of 4" InP (Fe) substrates for production of HBTs

[PDF] googleapis.com

InP single crystal wafer and method for producing InP single crystal

A Noda, R Hirano - US Patent 8,815,010, 2014 - Google Patents
Conventionally, for producing a compound semiconductor single crystal Such as InP, a
liquid-encapsulated Czochralski method (LEC method) or a vertical gradient freezing …
被引用次数：4 相关文章 所有 4 个版本
[PDF] researchgate.net

[PDF][PDF] 人工晶体学报

赵有文， 董志远， 段满龙， 孙文荣， 杨子祥， 吕旭如… - 2004 - researchgate.net
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料, 其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷
气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片. 在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比 …
相关文章

[引用][C] 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)

赵有文， 董志远， 段满龙， 孙文荣， 杨子祥， 吕旭如… - 人工晶体学报, 2004
被引用次数：2 相关文章 所有 3 个版本

[引用][C] 人工晶体学报

Z Youwen, D Zhiyuan, D Manlong, S Wenrong…
相关文章