[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных …

НИ Бочкарева, АВ Клочков - Физика и техника полупроводников, 1998 - journals.ioffe.ru
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si
рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного …
被引用次数：2 相关文章

Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в …

НИ Бочкарева, АВ Клочков - Физика и техника полупроводников, 1998 - elibrary.ru
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si
рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного …
[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных …

НИ Бочкарева, АВ Клочков - Физика и техника полупроводников, 1998 - journals.ioffe.ru
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si
рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного …