ВН Астратов, АВ Ильинский, АС Фурман - Письма в Журнал …, 1988 - mathnet.ru
Рис. 1, Распределения напряженности электрического поля£ измеренные в различные моменты времени t после приложения внеш него напряжения: а-О, 6-5, в-10, г-15, д-180 …
ВН Астратов, АВ Ильинский, ВА Киселев… - Физика твердого …, 1984 - mathnet.ru
Впервые в пространственно-однородных условиях опыта наблюдалось образование знакопеременного объемного заряда при экранировании электрического поля в …
ОА Гудаев, ВА Гусев, ЭЭ Пауль - Физика твердого тела, 1986 - mathnet.ru
В работе исследован ранее обнаруженный нами эффект «переключения» в структуре электрод–кристалл–электрод. На кривой зависимости фототока от интенсивности …
ЛИ Коровин, ВИ Марахонов, АВ Хоменко - Письма в Журнал …, 1983 - mathnet.ru
Это соотношение позволяет, в частности, по эксперименталь ным данным определить величину характерной концентрации/г... Таким образом, наличие инжекционных токов …
АВ Ильинский, АБ Куценко, МБ Мельников - Физика твердого тела, 1988 - mathnet.ru
Дан теоретический анализ релаксации фототока и поля в МДП структуре на основе высокоомного полупроводника в условиях однородной фотогенерации и рекомбинации …
МВ Красинькова, БЯ Мойжес - Физика твердого тела, 1989 - mathnet.ru
Предполагается, что кристаллы Bi $ _ {12} $ SiO $ _ {20} $ и его аналоги, выращенные (отожженные) на воздухе, имеют стехиометрический избыток кислорода, приводящий …
НИ Бочкарева, АВ Клочков - Физика и техника полупроводников, 1998 - journals.ioffe.ru
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного …