Теоретически и экспериментально исследованы два новых режима в динамике
экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных …

Рис. 1, Распределения напряженности электрического поля£ измеренные в различные
моменты времени t после приложения внеш него напряжения: а-О, 6-5, в-10, г-15, д-180 …

Впервые в пространственно-однородных условиях опыта наблюдалось образование
знакопеременного объемного заряда при экранировании электрического поля в …

В работе исследован ранее обнаруженный нами эффект «переключения» в структуре
электрод–кристалл–электрод. На кривой зависимости фототока от интенсивности …

Это соотношение позволяет, в частности, по эксперименталь ным данным определить
величину характерной концентрации/г... Таким образом, наличие инжекционных токов …

Дан теоретический анализ релаксации фототока и поля в МДП структуре на основе
высокоомного полупроводника в условиях однородной фотогенерации и рекомбинации …

Предполагается, что кристаллы Bi $ _ {12} $ SiO $ _ {20} $ и его аналоги, выращенные
(отожженные) на воздухе, имеют стехиометрический избыток кислорода, приводящий …

Рассматриваются процессы перераспределения электрического заряда и поля под
действием записывающего света и приложенного внешнего потенциала в …

Предложена теория, описывающая динамику экранирования электрического поля в
примесном полупроводнике после скачкообразного включения сильного обедняющего …

На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si
рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного …