La plasticité de micro-piliers monocristallins d'antimoniure d'indium (InSb), de silicium (Si) et
de nitrure de galium (GaN) est étudiée à 25° C pour comprendre les mécanismes de …

Dans le but de parvenir à comprendre le rôle des joints de grains sur la déformation des
polycristaux, il est nécessaire d'étudier finement le comportement des bi-cristaux. Dans cette …

Micro-pillar compression has been utilised in a novel elevated temperature technique, in situ
in the SEM to characterise the plasticity of gallium nitride (GaN){0001}-oriented euhedral …

At ambient temperature and pressure, most of the semiconductor materials are brittle: this is
the case of the III–V compound semiconductor indium antimonide, InSb. To study the role of …

Ernest Braun, David Collingridge & Stuart Macdonald, The Case of Semiconductors - PhilPapers
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Plasticity is the ability of a solid to flow or to change its shape permanently without rupture
when subjected to external stresses. More than a century has passed since the initial …

Pour des intérêts technologiques, la compréhension des mécanismes de déformation des
nano-structures est essentielle afin d'éviter que la relaxation des contraintes ne génère des …

Nanotechnology has played a significant role in the development of useful engineering
devices and in the synthesis of new classes of materials. For the reliable design of devices …

Gallium nitride (GaN) offers high electron mobility, breakdown voltage and saturation
velocity, and is an ideal candidate for advanced electronic and power devices. Meanwhile, it …

Nous avons étudié la plasticité d'échantillons massifs ainsi que de films minces auto-portés
de GaAs et d'InP à l'aide de techniques d'analyses originales. Sur échantillons massifs …