Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
ВН Астратов, АВ Ильинский, СМ Репин… - Физика твердого …, 1990 - mathnet.ru
Теоретически и экспериментально исследована динамика экранирования внешнего
электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в …
электрического поля в полуизолирующих кристаллах ZnSe. Обнаружено, что в …
Dynamics of Electric Field Screening in Semi‐Insulating ZnSe
VN Astratov, AS Furman, AV Ilinskii… - Physica status solidi …, 1991 - Wiley Online Library
The dynamics of the screening of an external electic field in semi‐insulating ZnSe is studied.
It is found that this dynamics exhibits two different regimes depending on the crystal …
It is found that this dynamics exhibits two different regimes depending on the crystal …
[引用][C] Неоднородное уширение полосы излучения электронно-дырочной плазмы в кристаллах ZnSe
Р Балтрамеюнас, А Жукаускас… - Физика твердого …, 1988 - mathnet.ru
Развитие представлений о природе размытия спектра излучения электронно-
дырочной плазмы (ЭДП) связано с моделями разогрева не равновесных носителей …
дырочной плазмы (ЭДП) связано с моделями разогрева не равновесных носителей …
Роль объемных глубоких центров в формировании поверхностной фотоэдс в низкоомных монокристаллах ZnSe
ИА Давыдов, ЛП Страхов - Физика и техника полупроводников, 1992 - mathnet.ru
Методом спектроскопии поверхностной фотоэдс (ПФЭ) и фотопроводимости (ФП)
исследованы низкоомные монокристаллы ZnSe, выращенные из расплава при …
исследованы низкоомные монокристаллы ZnSe, выращенные из расплава при …
[PDF][PDF] О ПОЗДНЕИ СТАДИИ ЭКРАНИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
АВ Ильинский, МБ Мельников - journals.ioffe.ru
В [д 2] сообщалось о наблюдении при экранировании внешнего электрического поля в
высокоомных полупроводниках нового явления—стратификации объемного заряда …
высокоомных полупроводниках нового явления—стратификации объемного заряда …
[引用][C] О поздней стадии экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках
АВ Ильинский, МБ Мельников - Физика твердого тела, 1991 - mathnet.ru
Все цитированные работы посвящены относительно ранним стадиям экранирования
поля (текущее время t< 50ткогда величина заряда в каждом слое растет и амплитуда …
поля (текущее время t< 50ткогда величина заряда в каждом слое растет и амплитуда …
[引用][C] Влияние облучения ионами He на диффузионную длину неосновных носителей заряда в ZnSe
АП Оконечников, ФФ Гаврилов - Физика и техника полупроводников, 1990 - mathnet.ru
В монокристаллах n-ZnSe, выращенных разными методами, диффузионная длина
дырок Lp находится в пределах 0.011—0.5 мкм Влияние внешних факторов на Lp …
дырок Lp находится в пределах 0.011—0.5 мкм Влияние внешних факторов на Lp …
[PDF][PDF] Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe с позиций теории непересекающихся зон
НК Морозова, ДА Мидерос, ЕМ Гаврищук… - Физика и техника …, 2008 - journals.ioffe.ru
Роль кислорода в спектрах люминесценции „неактивированных “кристаллов AIIBVI
обсуждается давно [1–19]. Подход к изучению оптических свойств соединений AIIBVI с …
обсуждается давно [1–19]. Подход к изучению оптических свойств соединений AIIBVI с …
Exoelectron emission excitation mechanism
VT Sotnikov, VA Zhuk… - Ukrainskii …, 1988 - ui.adsabs.harvard.edu
The mechanism of exoelectron emission excitation is examined with particular reference to
thermally stimulated exoelectron emission in ZnSe crystals. A possible excitation …
thermally stimulated exoelectron emission in ZnSe crystals. A possible excitation …