Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

ВИ Васильев, ГС Гагис, РВ Левин… - Письма в Журнал …, 2017 - mathnet.ru
При исследовании полученных методом газофазной эпитаксии гетероструктур InAs $ _
{x} $ P $ _ {y} $ Sb $ _ {1-xy} $/InAs ($ x> $0.55) для рассогласованных с подложкой …

Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs _1-y Sb _y/InAsSbP в интервале составов y< 0.2

КД Моисеев, ВВ Романов - Физика твердого тела, 2021 - mathnet.ru
Гетероструктуры $ n^{+} $-InAs/n $^{0} $-InAs $ _ {1-y} $ Sb $ _ {y} $/$ p $-InAsSbP с
асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены …

Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

КД Моисеев, ВВ Романов, ЮА Кудрявцев - Физика твердого тела, 2016 - mathnet.ru
Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs $ _ {1-xy} $ Sb $ _ {y} $ P $ _
{x} $ в диапазоне составов 0$< x< $0.72 получены на подложке InAs (001) методом …

Узкозонные гетероструктуры InAsSb/InAsSbP ( = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 m, полученные методом МОГФЭ

ВВ Романов, ЭВ Иванов, КД Моисеев - Физика твердого тела, 2019 - mathnet.ru
Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены
асимметричные гетероструктуры $ n $-InAs/InAs $ _ {1-y} $ Sb $ _ {y} $/$ p $-InAsSbP с …

Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAs1-xSbx (0=<qx=<q 0.18)

СС Кижаев, СС Молчанов, НВ Зотова… - Письма в Журнал …, 2001 - elibrary.ru
На подложках P-GaSb и n-InAs методом газофазной эпитаксии из
металлоорганических соединений выращены слои InAsSb с содержанием Sb 0= 0.82 …

Узкозонные гетероструктуры InAs1-xSbx/InAsSbP (x= 0.07-0.14) для спектрального диапазона 4-5 мкм, полученные методом МОГФЭ

ВВ Романов, ЭВ Иванов… - Тезисы докладов XIV …, 2019 - scholar.archive.org
DOI 10.34077/Semicond2019-451 Высокоэффективные светодиоды, излучающие в
диапазоне длин волн 4–5 мкм, представляют большой интерес для экологического …

ОСОБЕННОСТИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ INASSBP ПРИ ОСАЖДЕНИИ НА ПОВЕРХНОСТЬ ТВЕРДОГО РАСТВОРА INAS …

ВВ РОМАНОВ, КД МОИСЕЕВ - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 2023 - elibrary.ru
Узкозонные гетероструктуры InAs/InAsSbP/InAs 0.95 Sb 0.05/InAsSbP с различной
толщиной тройного твердого раствора были выращены методом газофазной …

Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs

АН Баранов - Физика и техника полупроводников, 1991 - mathnet.ru
Исследовано оптическое отражение эпитаксиальных слоев твердого раствора InAs $ _
{1-xy} $ Sb $ _ {x} $ P $ _ {y} $, полученных методом жидкофазной эпитаксии на …

Conditions for LPE growth of InAs {sub 1-xy} Sb {sub y}/InSb heterostructures; Issledovanie uslovij formirovaniya geterostruktur InAs {sub 1-xy} Sb {sub x} Bi {sub y} …

RK Akchurin, TV Sakharova, VA Zhegalin - Neorganicheskie Materialy, 1995 - osti.gov
Experimental and estimation investigations into In-As-Sb-Bi state diagram sections are
conducted. Study of InAs {sub 1-xy} Sb {sub x} Bi {sub y} solid solution crystallization (x …

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

ГС Гагис, РВ Левин, АЕ Маричев… - Физика и техника …, 2019 - mathnet.ru
Исследованы гетероструктуры GaInPAs/InP, полученные методом газофазной
эпитаксии из металлорганических соединений при температуре 600$^\circ $ C и …