Дан теоретический анализ релаксации фототока и поля в МДП структуре на основе
высокоомного полупроводника в условиях однородной фотогенерации и рекомбинации …

В работе исследован ранее обнаруженный нами эффект «переключения» в структуре
электрод–кристалл–электрод. На кривой зависимости фототока от интенсивности …

Рассматриваются процессы перераспределения электрического заряда и поля под
действием записывающего света и приложенного внешнего потенциала в …

В устройствах обработки оптической информации типа PROM f1], ПРИЗ [2] и
голографической интерферометрии [3] широкое применение нашли …

Проведено детальное исследование нестационарного фототока в кристаллах со
структурой силленита, выращенных в бескислородной (аргоновой) атмосфере …

Рис. 1, Распределения напряженности электрического поля£ измеренные в различные
моменты времени t после приложения внеш него напряжения: а-О, 6-5, в-10, г-15, д-180 …

В нелегированных и легированных ионами Al, Ga, Cr, Cu, Mn и V кристаллах Bi12SiO20
и Bi12GeO20 в оптическом диапазоне 0.5− 3.5 eV при температурах 85− 95K и 285 …

Приводятся результаты экспериментальных исследований спектров стационарной
фотопроводимости в видимой области спектра монокристаллов Bi $ _ {12} $ SiO …

Предложена методика исследования релаксации электрического поля в высокоомных
фотополупроводниках, основанная на сравнении кривых зарядного тока МДП …

Представлены результаты исследований оптических и фотоэлектрических свойств Bi
$ _ {12} $ SiO $ _ {20} $ в широком диапазоне температур. Показано, что соотношение …