High density plasma etching of titanium nitride metal gate electrodes for fully depleted silicon-on-insulator subthreshold transistor integration
Etching of TiN metal gate materials as a part of an integrated flow to fabricate fully depleted
silicon-on-insulator ultralow-power transistors is reported. TiN etching is characterized as a …
silicon-on-insulator ultralow-power transistors is reported. TiN etching is characterized as a …
Traitements plasmas post gravure pour l'intégration des matériaux SiOCH poreux dans les interconnexions en microélectronique
R Bouyssou - 2009 - theses.hal.science
La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais
aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la …
aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la …