Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms
N Posseme, T Chevolleau, R Bouyssou… - Journal of Vacuum …, 2010 - pubs.aip.org
This work focuses on the formation of residues that grow on a metallic-hard mask after
etching of porous low-k materials in fluorocarbon-based plasmas. The residue growth, which …
etching of porous low-k materials in fluorocarbon-based plasmas. The residue growth, which …
Patterning of porous SiOCH using an organic mask: Comparison with a metallic masking strategy
M Darnon, T Chevolleau, T David, J Ducote… - Journal of Vacuum …, 2010 - pubs.aip.org
The etching of sub-100-nm porous dielectric trenches has been investigated using an
organic mask. The etching process that is performed in an oxide etcher is composed of three …
organic mask. The etching process that is performed in an oxide etcher is composed of three …
Limites de l'intégration des masques de gravure et d'un matériau diélectrique hybride pour la fabrication des interconnexions en microélectronique
J Ducoté - 2010 - theses.hal.science
À partir des noeuds technologiques 45nm, les lignes métalliques des interconnexions des
composants microélectroniques sont isolées entre elles par des matériaux diélectriques à …
composants microélectroniques sont isolées entre elles par des matériaux diélectriques à …