The influence of temperature treatment on the formation of Ni-based Schottky diodes and ohmic...

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Processing and characterization of ohmic contacts to silicon carbide

K Vasilevskiy, K Zekentes, N Wright… - Adv. Res. Found, 2018 - books.google.com
Fabrication of ohmic contacts to silicon carbide was addressed by R. Hall for the first time in
1958 [1]. Ohmic contacts to p-type SiC Lely crystals [2] were fabricated by fusing 200 μm …
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Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface

T Okada, T Tomita, T Ueki, T Hashimoto… - Japanese Journal of …, 2018 - iopscience.iop.org
We carried out cross-sectional transmission electron microscopy to investigate the diffusion
at the Ni/SiC interface enhanced by femtosecond-laser-induced modifications. The surface …
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[PDF] nii.ac.jp

[PDF][PDF] マイクロ波励起高密度ラジカルの半導体製造プロセスへの応用について

荒井哲司 - (No Title), 2018 - yamanashi.repo.nii.ac.jp
2011 年 11 月にドイツで公布された 「High-Tech Strategy 2020 Action Plan」 における 「Industrie
4.0」 を皮切りに, 第四次産業革命の波が世界規模で広がってきている. この第四次産業革命 …
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[PDF] nii.ac.jp

[PDF][PDF] マイクロハレイキコウミツドラジカルノハンドウタイセイゾウプロセスエノオウヨウニツイテ

荒井哲司 - 2018 - yamanashi.repo.nii.ac.jp
2011 年 11 月にドイツで公布された 「High-Tech Strategy 2020 Action Plan」 における 「Industrie
4.0」 を皮切りに, 第四次産業革命の波が世界規模で広がってきている. この第四次産業革命 …
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