UV Emission from GaN Wires with m-Plane Core–Shell GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells
The present work reports high-quality nonpolar GaN/Al0. 6Ga0. 4N multiple quantum wells
(MQWs) grown in core–shell geometry by metal–organic vapor-phase epitaxy on the m …
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Elaboration et propriétés de nanofils à base d'InGaN pour la réalisation de micro et nanoLEDs
M Gruart - 2020 - theses.hal.science
Les semiconducteurs III-N, incluant le GaN, l'AlN, l'InN et leurs alliages, font l'objet d'un
intérêt grandissant pour le développement de dispositifs optoélectroniques. Leur gap direct …
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