Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл-твердые растворы нитридов галлия и алюминия

ИА Ламкин, ЕА Менькович… - Научно-технические …, 2012 - cyberleninka.ru
В статье рассмотрены проблемы создания качественных омических и выпрямляющих
контактов к твердым растворам AlGaN с большой долей Al. Изложены основные …

[PDF][PDF] Физико-технологические основы создания светоизлучающих и фотоприемных твердотельных приборов с заданными спектрально-энергетическими …

СА Тарасов - дис.… докт. техн. наук/СА Тарасов, 2016 - etu.ru
Актуальность темы исследования. Одной из важнейших задач современной науки и
техники является разработка твердотельных светоизлучающих приборов и …

Оптимизация параметров контактов" металл–твердые растворы AlGaN" как основы фотодетекторов для ультрафиолетового диапазона спектра

ИА Ламкин, СА Тарасов, ЕА Менькович… - Известия высших …, 2013 - cyberleninka.ru
Представлены результаты оптимизации параметров контактов" металл–твердые
растворы AlGaN" и созданные на их основе фоточувствительные структуры для …

[PDF][PDF] ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПРИБОРЫ НА ОСНОВЕ БАРЬЕРА ШОТКИ МЕТАЛЛ–AlGaN

БВ Калинин, ИА Ламкин, ЕА Менькович, СА Тарасов - СПбГЭТУ" ЛЭТИ, 2012 - izv.etu.ru
Рассматривается сверхвысокочастотный усилитель мощности на основе монолитной
интегральной схемы. Данный усилитель на основе нитрида галлия имеет рабочий …

[PDF][PDF] Моделирование вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик DHFET на основе гетероструктур AlGaN/GaN

БВ Калинин, ИА Ламкин, СА Тарасов - Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ, 2012 - izv.etu.ru
Проведено исследование и моделирование вольт-фарадных и вольт-амперных
характеристик транзистора с двойным ограничением двумерного электронного газа …

[PDF][PDF] Селективные ультрафиолетовые фотоприемники на основе барьера Шоттки" мeталл─ AlGaN"

СА Тарасов, ИА Ламкин, ИИ Михайлов… - Успехи прикладной …, 2016 - advance.orion-ir.ru
Одной из главных задач современной оптоэлектроники является создание
фотоприемников различного типа и улучшение их характеристик. В последние годы …

[PDF][PDF] Солнечнослепые и видимослепые фотодетекторы на основе AlGaN

ИА Ламкин, СА Тарасов… - Тезисы …, 2014 - uzmu.mmsphys.sunmarket.com
В последние годы большой интерес проявляется к устройствам на основе твердых
растворов AlGaN. Нитриды широко используются для люминесцентных устройств [1] …

Исследование физических процессов, возникающих в условиях низких температур и токов в светоизлучающих наногетероструктурах на основе …

ЕА Менькович, СА Тарасов… - Труды Московского …, 2014 - cyberleninka.ru
Исследованы светоизлучающие наногероструктуры с множественными квантовыми
ямами на основе твердых растворов (Al, Ga, In) N. Изучены свойства структур двух …

Селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaN

АС Евсеенков, ИА Ламкин, ИИ Михайлов… - Известия высших …, 2016 - cyberleninka.ru
Созданы и исследованы селективные фоточувствительные структуры на основе
барьера Шотки Au-AlGaN для ультрафиолетового диапазона спектра. Показаны …

[PDF][PDF] Ультрафиолетовые светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN выращенные методом хлоридно-гидридной эпитаксии: исследование рабочих …

ЕА Менькович, СА Тарасов… - Учен. зап. физ. фак …, 2014 - uzmu.phys.sunmarket.com
Альтернативной заменой используемых сегодня ртутных газоразрядных ламп могут
стать полупроводниковые светоизлучающие диоды (СД) выполненные на основе …