Growth of phosphorus-doped ZnTe thin films by molecular beam epitaxy using InP as the dopant source
M Mustofa, S Mishima, K Saito, Q Guo… - Japanese Journal of …, 2023 - iopscience.iop.org
P-doped ZnTe thin films were grown by MBE on ZnTe (100) substrates using InP as the P
source under various InP fluxes. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) analyses …
source under various InP fluxes. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) analyses …
Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition
VG Shengurov, DO Filatov, SA Denisov, VY Chalkov… - Semiconductors, 2019 - Springer
Abstract n+-Ge/p+-Si (001) epitaxial structures are grown by hot-wire chemical vapor
deposition from GeH 4 at a low substrate temperature (~ 325° C). Prototype tunnel diodes …
deposition from GeH 4 at a low substrate temperature (~ 325° C). Prototype tunnel diodes …
In-situ легирование фосфором слоев Ge при выращивании их методом Hot Wire CVD
ДС Прохоров, СА Денисов, ВЮ Чалков… - Нанофизика и …, 2018 - elibrary.ru
В работе при выращивании слоев Ge на Si (100) методом HW-CVD впервые было
применено in situ легирование фосфором при испарении GaP из эффузионной ячейки …
применено in situ легирование фосфором при испарении GaP из эффузионной ячейки …
Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур -Ge/-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
ВГ Шенгуров, ДО Филатов, СА Денисов… - Физика и техника …, 2019 - mathnet.ru
Методом разложения GeH $ _ {4} $ на горячей проволоке при низкой температуре
подложки ($\sim $325$^\circ $ C) получены эпитаксиальные структуры $ n^{+} $-Ge …
подложки ($\sim $325$^\circ $ C) получены эпитаксиальные структуры $ n^{+} $-Ge …