Spectrum and wave functions of the quantum dot (QD) with two diametrically located ions of
impurity have been studied. The case of the impurity location on the surface of the quantum …

InAs/GaAs quantum dot devices have the potential to be the leading technology for infrared
detection and emission, which are necessary for many military and domestic applications …

Хорошо известно, что концентрация инжектированных носителей заряда ns в
лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами (КЯ) растет с ростом плотности тока j …

基于V 形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象,
并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理 …

The charge-carrier concentration and the temperature of hot electrons and holes in quantum-
well laser nanostructures in the regimes of spontaneous and stimulated emission are …

High-resolution spectroscopy in the mid-infrared spectral range is used to study electronic
transitions between size-quantization subbands in stepped quantum wells under …

Спектроскопия высокого временного разрешения в средней инфракрасной области
спектра при пикосекундном межзонном возбуждении использована для исследования …

A theoretical study of the spectrum of quasiparticles in a superlattice of spherical quantum
dots (QDs) with a trapezoidal potential profile with a weak coupling of quasiparticles …

Исследовано межподзонное оптическое поглощение в среднем инфракрасном
диапазоне в гетероструктурах с асимметричными парами туннельно-связанных …

Исследовано влияние на фотоэлектрические спектры квантово-размерных
гетеронаноструктур In (Ga) As/GaAs поверхностного дефектообразования при анодном …