Temperature and pressure dependence of the recombination processes in 1.5 μm InAs∕ InP (311) B quantum dot lasers
The threshold current and its radiative component in 1.5 μ m In As∕ In P (311) B quantum
dot lasers are measured as a function of the temperature. Despite an almost temperature …
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[PDF][PDF] TECHNOLOGIES POUR SOURCES LASER A SEMICONDUCTEURS III-V
S Bouchoule - 2018 - theses.hal.science
A l'issue de ma thèse de doctorat, j'ai été recrutée au CNET, Laboratoire de Bagneux, dans
le département «Sources à Semi-Conducteurs», pour concevoir et fabriquer en salle …
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