As 保护下的生长中断时间对 AlSb/InAs 超晶格界面粗糙度的影响

采用AlSb 缓冲层生长2.3 μmInGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱结构

尤明慧， 高欣， 李占国， 刘国军， 李林， 李梅… - 强激光与粒子束, 2010 - cpsjournals.cn
针对常见的GaSb 衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱结构进行了设计和外延生长.
样品通过X-射线测试, 有多级衍射卫星峰出现, 表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好 …
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[引用][C] X 射线衍射仪的角度溯源

任玲玲， 崔建军 - 计量技术, 2012
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[引用][C] X 射线衍射仪的X 射线溯源

任玲玲， 高慧芳 - 计量技术, 2012
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