[图书][B] Modelowanie zjawisk fizycznych w krawędziowych laserach azotkowych oraz ich matrycach
M Kuc, RP Sarzała - 2016 - bibliotekanauki.pl
Niniejsza praca dotyczy półprzewodnikowych azotkowych laserów o krawędziowej emisji
światła z falowodem grzbietowym (z angielskiego EdgeEmitting Laser RidgeWaveguide, w …
światła z falowodem grzbietowym (z angielskiego EdgeEmitting Laser RidgeWaveguide, w …
[HTML][HTML] Effect of GaN substrate thickness on the optical field of InGaN laser diodes
In this work the influence of GaN substrate thickness on the near and far-field patterns of
InGaN lasers structures is numerically studied. In simulation a typical structure with an …
InGaN lasers structures is numerically studied. In simulation a typical structure with an …
[PDF][PDF] Optimización de los patrones de campo cercano y lejano en láseres de InxGa1-xN
JA Martín, E Mona, M Sánchezb - biblat.unam.mx
En este trabajo se analiza la influencia del espesor de las capas ny p-GaN sobre los
patrones de campo cercano y lejano de estructuras láser de InxGa1-xN con pozos cuánticos …
patrones de campo cercano y lejano de estructuras láser de InxGa1-xN con pozos cuánticos …
[PDF][PDF] Dependencia térmica de la corriente umbral en láseres semiconductores a pozo cuántico.
Se presenta un estudio de la dependencia térmica de la corriente umbral en láseres de
diferentes materiales haciendo énfasis los láseres en base a GaInNAs. En este caso se …
diferentes materiales haciendo énfasis los láseres en base a GaInNAs. En este caso se …
[引用][C] Cavidades ópticas con perfil recto y parabólico del índice de refracción en láseres de AlGaAs e InGaN
JAM Alfonso, MS Colina, FG Reina - 2007 - Editorial Universitaria