Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal
MY Tashmetov, FK Khallokov, NB Ismatov… - Physica B: Condensed …, 2021 - Elsevier
The effect of electrons on the surface, Raman spectra, structure and phase transition in a
TlInS 2 single crystal was studied. Irradiation of TlInS 2 with electrons with an energy of 2 …
TlInS 2 single crystal was studied. Irradiation of TlInS 2 with electrons with an energy of 2 …
The Incommensurate Phase Transformation in TlInS2 Ferroelectric
A Salnik, YP Gololobov, NA Borovoy - Ferroelectrics, 2015 - Taylor & Francis
The features of the crystal structure of c and 2c TlInS2 polytypes have been studied by single-
crystal X-ray diffraction method in the temperature range 180 K–300 K. In the c polytype the …
crystal X-ray diffraction method in the temperature range 180 K–300 K. In the c polytype the …
Multiphonon absorption processes in layered structured TlGaS2, TlInS2 and TlGaSe2 single crystals
The infrared transmittance and Raman scattering spectra in TlGaS2, TlInS2 and TlGaSe2
layered single crystals grown by Bridgman method were studied in the frequency ranges of …
layered single crystals grown by Bridgman method were studied in the frequency ranges of …
Основные направления развития информационных технологий Национальной академии наук Азербайджана
АС Бондяков - Компьютерные исследования и моделирование, 2015 - mathnet.ru
Грид-инфраструктура—компьютерная инфраструктура нового типа, обеспечивающая
глобальную интеграцию информационных и вычислительных ресурсов. Грид-сегмент в …
глобальную интеграцию информационных и вычислительных ресурсов. Грид-сегмент в …
The first-principle study of substitutional impurities' effect on elastic properties of TlInS2 layered crystal
The elastic and vibrational properties of the TIInS 2 and TlIn (S 0.75 Se 0.25) 2 crystals were
first calculated applying DFT/PBE method augmented by dispersion correction (DFT/PBE-D) …
first calculated applying DFT/PBE method augmented by dispersion correction (DFT/PBE-D) …
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
NA Ismayilova, HS Orudzhev - Металлофизика и новейшие …, 2016 - dspace.nbuv.gov.ua
Electronic structure, DOS effective mass, conductivity effective mass, reduced effective mass
are calculated for a TlInS₂ crystal from first principles within the framework of the density …
are calculated for a TlInS₂ crystal from first principles within the framework of the density …
Basic directions of information technology in National Academy of Sciences of Azerbaijan
AS Bondyakov - Computer research and modeling, 2015 - mathnet.ru
AS Bondyakov, “Basic directions of information technology in National academy of sciences of
Azerbaijan”, Computer Research and Modeling, 7:3 (2015), 657–660 Computer Research and …
Azerbaijan”, Computer Research and Modeling, 7:3 (2015), 657–660 Computer Research and …
[PDF][PDF] Виникнення та трансформація нерозмірно модульованої структури в політипах напівпровідників TlInS2
МО Боровий, ЮП Гололобов, ГЛ Ісаєнко… - Вісник …, 2016 - irbis-nbuv.gov.ua
Кристали β-TlInS2 проявляють сегнетоелектричні і напівпровідникові властивості та при
нормальних умовах відносяться до просторової групу симетрії С2/с моноклінної сингонії …
нормальних умовах відносяться до просторової групу симетрії С2/с моноклінної сингонії …
[引用][C] НІКОЛАЄНКО АЛІНА ВОЛОДИМИРІВНА
ВОНА ТРАНСФОРМАЦІЮ - 2018 - … національний університет імені …