Analytical investigation of transconductance and differential conductance of ultrathin ID-DG MOSFET with gradual channel approximation
A Deyasi, R Chakraborty, D Mondal… - Proceeding of Fifth …, 2021 - Springer
Transconductance (gm) and differential conductance (gd) of ultrathin double-gate symmetric
MOSFET is analytically investigated considering independent-gate architecture. Ortiz …
MOSFET is analytically investigated considering independent-gate architecture. Ortiz …
Investigating effect of structural parameters on static characteristics of ultrathin DG MOSFET using Taur's model
R Chakraborty, D Mondal, A Deyasi - Information, Photonics and …, 2020 - Springer
Drain current and pinch-off voltage of ultrathin double-gate MOSFET are analytically
calculated based on Taur's model, where the centre potential is derived from Ortiz-Conde …
calculated based on Taur's model, where the centre potential is derived from Ortiz-Conde …
Channel engineered cylindrical double gate all around FET for low power VLSI applications
A specific channel engineering over a cylindrical double gate all around FET (CDGAA FET)
is proposed in this work. The engineering is to stack 3 layers of diversely doped silicon in …
is proposed in this work. The engineering is to stack 3 layers of diversely doped silicon in …
Two-Dimensional Analytical Expression of Threshold Voltage for Un-doped Double Gate MOSFET
V Maheshwari, S Malipatil, NK Garg, R Kar - … , Networking and IoT …, 2021 - Springer
In this work, new two-dimensional (2-D) analytical solution of threshold voltage (V th) for un-
doped Double Gate MOSFETs is proposed. In this research work, Green's function based …
doped Double Gate MOSFETs is proposed. In this research work, Green's function based …
[PDF][PDF] Modeling, estimation and reduction of total leakage in scaled CMOS logic circuits
N Sachdeva - 2021 - dspace-jcboseust.refread.com
Metal oxide semiconductor (MOSFET) is the most important promising building block of Very-
Large-Scale Integrated (VLSI) circuits due to its incomparable properties. Both the …
Large-Scale Integrated (VLSI) circuits due to its incomparable properties. Both the …
[PDF][PDF] A Two-Dimensional (2D) Analytical Model for Sub-threshold Current and Sub-threshold Swing for Short Channel Triple Material Gate-Double Halo (TMG-DH) …
In this work, an analytical model for sub-threshold conduction parameters has been
demonstrated for shortchannel Triple Material Gate-Double Halo (TMG-DH) DG MOSFET …
demonstrated for shortchannel Triple Material Gate-Double Halo (TMG-DH) DG MOSFET …
مدل تحلیلی جریان الکتریکی مبتنی بر بار با در نظر گرفتن میدان الکتریکی عرضی برای نانو ترانزیستور ماسفت دوگیتی
سید امیر هاشمی, سید امیر - مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 2019 - tjee.tabrizu.ac.ir
در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و
رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است. نخست، با …
رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است. نخست، با …
مدل تحلیلی جریان الکتریکی مبتنی بر بار با در نظر گرفتن میدان الکتریکی عرضی برای نانو ترانزیستور ماسفت دوگیتی
هاشمی, سید امیر - مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز, 2019 - tjee.tabrizu.ac.ir
در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و
رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است. نخست، با …
رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است. نخست، با …