Effect of a barrier defect in the creation of localized states in the structure of multi-quantum wells
F Falyouni, D Bria - Materials Today: Proceedings, 2020 - Elsevier
Our work is based on the study of a multi-quantum well (MQW) GaAs/Al x Ga 1-x As
containing a defect barrier Ga 1-x Al x As of a thickness d 02 (cavity). The potential barrier …
containing a defect barrier Ga 1-x Al x As of a thickness d 02 (cavity). The potential barrier …
Multi-step interrupted-growth MBE technology for GaAs/AlGaAs (∼ 9.4 μm) room temperature operating quantum-cascade lasers
K Kosiel, J Kubacka-Traczyk, I Sankowska… - Opto-Electronics …, 2012 - degruyter.com
In order to adjust the highly controllable and optimum growth conditions, the multi-step
interrupted-growth MBE processes were performed to deposit a series of GaAs/Al0. 45Ga0 …
interrupted-growth MBE processes were performed to deposit a series of GaAs/Al0. 45Ga0 …
Development of (λ∼ 9.4 μm) GaAs-Based Quantum Cascade Lasers Operating at the Room Temperature
K Kosiel, A Szerling, M Bugajski, P Karbownik… - Terahertz and Mid …, 2011 - Springer
The development of (λ∼ 9. 4 μ m) GaAs-based quantum cascade lasers (QCLs) operating at
the room temperature is reported. The laser design followed an “anticrossed-diagonal” …
the room temperature is reported. The laser design followed an “anticrossed-diagonal” …
Optical polarization shift in beams emitted by quantum cascade lasers
E Pruszyńska-Karbownik, P Gutowski… - Optical and Quantum …, 2019 - Springer
In this paper, we present experimental results of current-induced polarization change and
transverse mode change in mid-infrared quantum cascade lasers. The polarization of laser …
transverse mode change in mid-infrared quantum cascade lasers. The polarization of laser …
AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers for gas detection systems
K Kosiel, A Szerling, P Karbownik… - 2011 International …, 2011 - ieeexplore.ieee.org
AlGaAs/GaAs room-temperature pulse-operating mid-infrared (λ~ 9.5 μm) quantum-cascade
lasers (QCLs) have been developed for application in gas detection systems. The 1046.4 cm …
lasers (QCLs) have been developed for application in gas detection systems. The 1046.4 cm …
In-situ thin film copper–copper thermocompression bonding for quantum cascade lasers
The choice of metals, bonding conditions and interface purity are critical parameters for the
performance of metal–metal bonding quality for quantum cascade lasers (QCLs). Here, we …
performance of metal–metal bonding quality for quantum cascade lasers (QCLs). Here, we …
A novel method to calculate a near field of widely divergent laser beams
E Pruszyńska-Karbownik, K Regiński… - Optical and Quantum …, 2016 - Springer
A new method to calculate the near field of widely divergent laser beams based on a given
far field is proposed. It is assumed that the field of radiation consists of several transversal …
far field is proposed. It is assumed that the field of radiation consists of several transversal …
Kwantowe lasery kaskadowe: 20 lat historii i stan obecny
M Bugajski, A Wójcik-Jedlińska - Elektronika: konstrukcje, technologie …, 2014 - infona.pl
Kwantowe lasery kaskadowe (Quantum Cascade Lasers–QCL) to najmłodsza odmiana
laserów półprzewodnikowych. Znane są zaledwie od 20 lat i dopiero znajdują się na progu …
laserów półprzewodnikowych. Znane są zaledwie od 20 lat i dopiero znajdują się na progu …
Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
K Kosiel, A Szerling, P Karbownik… - Elektronika: konstrukcje …, 2010 - infona.pl
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji
promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach …
promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach …
Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs
A Barańska, K Kosiel, J Kubacka-Traczyk… - Elektronika …, 2010 - repo.pw.edu.pl
Artykuł przedstawia wyniki badań morfologii powierzchni międzyfazowych heterostruktur
epitaksjalnych AlGaAs/GaAs. Struktury zostały wykonane metodą epitaksji z wiązek …
epitaksjalnych AlGaAs/GaAs. Struktury zostały wykonane metodą epitaksji z wiązek …